Измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда в тонких пластинах полупроводниковых кристаллов; Приборы и техника эксперимента; № 2

Измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда в тонких пластинах полупроводниковых кристаллов

Bibliografische gegevens
Parent link:	Приборы и техника эксперимента/ Российская академия наук.— , 1956-.— 0032-8162 № 2.— 2003.— с. 93-95
Hoofdauteur:	Болесов И. А.
Andere auteurs:	Астахов В. П., Карпов В. В.
Taal:	Russisch
Gepubliceerd in:	2003
Reeks:	Общая экспериментальная техника
Onderwerpen:	диффузионная длина пластины кремний полупроводники кристаллы полупроводниковые кристаллы заряды измерения
Formaat:	Hoofdstuk
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=427154

Gelijkaardige items

Колебательные спектры и динамика ионно-ковалентных кристаллов
door: Лазарев А. Н. Андриан Николаевич
Gepubliceerd in: (Ленинград, Наука, 1985)

Растворение кристаллов: теория и практика; пер. с нем.
door: Хейман Р. Б,
Gepubliceerd in: (Ленинград, Недра, 1979)

Аморфизация кристаллов Si ионами He+; Письма в Журнал технической физики; Т. 28, вып. 14
door: Реутов В. Ф.
Gepubliceerd in: (2002)

Явления переноса в реальных кристаллах во внешних полях (диффузионная кинетика носителей тока и макродефектов): монография
door: Корнюшин Ю. В. Юрий Васильевич
Gepubliceerd in: (Киев, Наукова думка, 1981)

Механическая обработка полупроводниковых материалов: учебник
door: Бочкин О. И. Олег Иванович
Gepubliceerd in: (Москва, Высшая школа, 1977)

Механическая обработка полупроводниковых материалов: учебник
door: Бочкин О. И. Олег Иванович
Gepubliceerd in: (Москва, Высшая школа, 1973)

Исследование диффузионной проницаемости границ и дислокаций в щелочногалоидных кристаллах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
door: Добровинская Е. Р.
Gepubliceerd in: (Харьков, [Б. и.], 1966)

Расчет распределения индуцированного заряда круглой проводящей пластины во внешнем электростатическом поле; Современные проблемы науки и образования; № 1
door: Исаев Ю. Н. Юсуп Ниязбекович
Gepubliceerd in: (2015)

Центры захвата позитронов и особенности аннигиляции позитронов в дефектных полупроводниковых: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07
door: Цой А. А. Альберт Алексеевич
Gepubliceerd in: (Томск, [Б. и.], 1981)

Особенности радикального травления полупроводниковых материалов в галогенсодержащей плазме учебно-методическое пособие для вузов
door: Владимирова Л. Н.
Gepubliceerd in: (Воронеж, ВГУ, 2014)

Т. 2: Нелинейно-оптическая диагностика полупроводниковых кристаллов; Современные проблемы лазерной физики
Gepubliceerd in: (1990)

Оборудование диффузионной сварки
door: Казаков Н. Ф.
Gepubliceerd in: (Москва, Московский технологический институт мясной и молочной промышленности, 1973)

Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур
door: Концевой Ю. А. Юлий Абрамович
Gepubliceerd in: (Москва, Радио и связь, 1982)

Случайные блуждания с промежуточной аномально-диффузионной асимптотикой; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 2
door: Саичев А. И.
Gepubliceerd in: (2004)

Достижения и перспективы развития диффузионной сварки: материалы конференции
Gepubliceerd in: (Москва, МДНТП им. Ф. Э. Дзержинского, 1990)

Кристаллизация и свойства кристаллов и тонких пленок: сборник научных работ
Gepubliceerd in: (Ленинград, Изд-во ЛГПИ, 1977)

Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок
Gepubliceerd in: (Новосибирск, Наука, 1988)

Наноразмерные изменения структуры ионно-облученных кристаллов кремния на глубинах, превышающих пробег внедряемых ионов; Письма в Журнал технической физики; Т. 28, вып. 14
Gepubliceerd in: (2002)

Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок
Gepubliceerd in: (Новосибирск, Наука, Сибирское отделение, 1981)

Comparison of the quantum and classical calculations of flux density of (220) channeled positrons in Si crystal; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 732 : Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures (RREPS2015)
Gepubliceerd in: (2016)

Радиационная физика неметаллических кристаллов: сборник статей; Т. 3, ч. 1; Радиационная физика полупроводников
Gepubliceerd in: (Киев, Наукова думка, 1971)

Разработка прибора для измерения времени релаксации неравновесных носителей заряда в полупроводниковых диодах: Отчет о НИР; Хоз. договор №105/70
Gepubliceerd in: (Томск, ТПИ, 1972)

Гиротропия кристаллов
door: Кизель В. А. Владимир Александрович
Gepubliceerd in: (Москва, Наука, 1980)

Очерки о диффузии в кристаллах
door: Гегузин Я. Е. Яков Евсеевич
Gepubliceerd in: (Москва, Наука, 1974)

Источник рентгеновского излучения на основе механизма дифракции тормозного излучения пучка микротрона в кристалле; Физико-технические проблемы атомной энергетики и промышленности
Gepubliceerd in: (2007)

Peculiarities of angular distribution of electrons at <100> channeling in silicon crystal; RReps'11. Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures
Gepubliceerd in: (2011)

Легирование полупроводников методом ядерных реакций
Gepubliceerd in: (Новосибирск, Наука, 1981)

Теория и практика выращивания кристаллов: пер. с англ.; [сборник статей]
Gepubliceerd in: (Москва, Металлургия, 1968)

Механизм нелинейной квантовой поляризации в протонных полупроводниках и диэлектриках; Известия вузов. Физика; Т. 66, № 8
door: Калытка В. А. Валерий Александрович
Gepubliceerd in: (2023)

Достижения и перспективы развития диффузионной сварки
Gepubliceerd in: (Москва, Изд-во МДНТП, 1987)

Planar channelling of relativistic electrons in half-wave silicon crystal and corresponding radiation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 732 : Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures (RREPS2015)
Gepubliceerd in: (2016)

Диффузионная кинетика призматических дислокационных петель: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
door: Саралидзе З. К.
Gepubliceerd in: (Тбилиси, [Б. и.], 1967)

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников: учебное пособие
door: Ормонт Б. Ф. Борис Филиппович
Gepubliceerd in: (Москва, Высшая школа, 1973)

Спектральные зависимости фотоиндуцированного поглощения света, наведённые в кристалле Bi12TiO20:Al излучением с длиной волны 660 НМ; Современные техника и технологии; Т. 2
door: Попугаева В. В.
Gepubliceerd in: (2010)

Источник рентгеновского излучения на основе механизма дифракции тормозного излучения пучка микротрона в кристалле; Физико-технические проблемы атомной энергетики и промышленности
Gepubliceerd in: (2007)

Planar and axial channeling of relativistic electrons in half-wave silicon crystal and corresponding radiation; Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures. RREPS-15
Gepubliceerd in: (2015)

Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
door: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
Gepubliceerd in: (Москва, Наука, 1988)

Comparison of the quantum and classical calculations of flux density of (220) channeled positrons in Si crystal; RREPS-15. Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures
door: Eykhorn Yu. L. Yury Leonidovich
Gepubliceerd in: (2015)

Channeling of Relativistic Electrons in Half-Wave Silicon Crystal and Corresponding Radiation; Journal of Physics; Vol. 635
Gepubliceerd in: (2015)

Исследование особенностей фазовых портретов параметров диффузионной плазмы; Молодежь и современные информационные технологии; Т. 1
door: Тарасова Л. П.
Gepubliceerd in: (2014)