Исследование угловых распределений мягкой компоненты излучения релятивистских электронов вблизи плоскостной ориентации монокристаллов большой толшины - Амосов К. Ю.; Андреяшкин М. Ю.; Внуков И. Е.; Калинин Б. Н.; Науменко Г. А. Геннадий Андреевич; Потылицын А. П. Александр Петрович; Сырычев В. П. (1991, 1991)
На Томском синхротроне проведено экспериментальное исследование мягrой компоненты излучения релятивистских электронов в монокристаллах алмаза, кремния и вольфрама. Показано, что за счет угловой селекции может быть выделена компонента излучения, связанная с каналированным излучением электронов, захваченных в этот режим движения внутри кристалла. Обнаружено, что линейная плотность излучения электронов, которые должны быть захвачены в режим плоскостного каналирования внутри кристалла вследствие многократного рассеяния, существенно подавлена по сравнению с линейной плотностью излучения электронов, захваченных в этот режим движения в приповерхностном слое кристалла. Показано, что эффект "квазипреломления" электронного пучка потенциалом плоскости в толстых монокристаллах приводит к "эффективному отражению" электронов.