Латышев Ю. И., Синченко А. А., Булаевский Л. Н., Павленко В. Н., & Монсо П. (2002). Когерентное туннелирование между элементарными проводящими слоями в проводнике с волной зарядовой плотности NdSe3; Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 75, вып. 1-2. 2002.
Chicago Style (17th ed.) CitationЛатышев Ю. И., Синченко А. А., Булаевский Л. Н., Павленко В. Н., and Монсо П. Когерентное туннелирование между элементарными проводящими слоями в проводнике с волной зарядовой плотности NdSe3; Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 75, вып. 1-2. 2002, 2002.
MLA (9th ed.) CitationЛатышев Ю. И., et al. Когерентное туннелирование между элементарными проводящими слоями в проводнике с волной зарядовой плотности NdSe3; Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 75, вып. 1-2. 2002, 2002.