Образование F-центров и автолокализованных экситонов в кристале CsBr под действием импульсных электронных пучков; Физика твердого тела; Т. 28, № 11

類似資料

• Оптическое поглощение двухганоидных автолокализованных экситонов в CsBr; Оптика и спектроскопия; Т. 60, вып. 3
  著者:: Кравченко В. А. Виктор Алексеевич
  出版事項: (1986)
• Образование F-центров и автолокализованных экситонов в сильновозбужденных ЩГК; Физика твердого тела; Т. 30, № 3
  著者:: Кравченко В. А. Виктор Алексеевич
  出版事項: (1988)
• Сравнительный анализ спектрально-кинетических параметров автолокализованных экситонов и F2-центров окраски; Физика твердого тела
  著者:: Лисицына Л. А.
  出版事項: (2002)
• Явление вынужденной безызлучательной аннигиляции автолокализованных экситонов в сильно возбужденных ЩГК; Молодые ученые и специалисты - ускорению научно-технического прогресса
  著者:: Краченко В. А.
  出版事項: (1986)
• Оптические поглощательные переходы автолокализованных экситонов; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
  著者:: Лисицина Л. А.
  出版事項: (2002)