Электрическое поле в базе плоскостных транзисторов при малых уровнях инъекции; Физика твердого тела; Сб. 1

Xehetasun bibliografikoak
Parent link:	Физика твердого тела/ Академия наук СССР.— , 1959-.— 0367-3294 Сб. 1.— 1959.— С. 159-169
Egile nagusia:	Рябинкин Ю. С.
Hizkuntza:	errusiera
Argitaratua:	1959
Gaiak:	радиоэлектроника труды учёных ТПУ
Formatua:	MixedMaterials Liburu kapitulua
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=421826

MARC


LEADER	00000naa2a2200000 4500
001	421826
005	20241206135310.0
035			\|a (RuTPU)RU\TPU\prd\79602
035			\|a RU\TPU\tpu\4953
090			\|a 421826
100			\|a 20100406d1959 u \|0us y50 ba
101	0		\|a rus
102			\|a RU
200	1		\|a Электрическое поле в базе плоскостных транзисторов при малых уровнях инъекции \|f Ю. С. Рябинкин
320			\|a Библиогр.: 12 назв.
461			\|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\409 \|x 0367-3294 \|t Физика твердого тела \|f Академия наук СССР \|d 1959-
463			\|t Сб. 1 \|v С. 159-169 \|d 1959
610	1		\|a радиоэлектроника
610	1		\|a труды учёных ТПУ
700		1	\|a Рябинкин \|b Ю. С.
801		0	\|a RU \|b 63413507 \|c 20011210 \|g PSBO
801		2	\|a RU \|b 63413507 \|c 20100407 \|g PSBO
942			\|c CR