Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой

Chi tiết về thư mục
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 47, № 11.— 2004.— с. 3-9
Tác giả chính:	Грушко Н. С.
Tác giả khác:	Потанахина Л. Н.
Ngôn ngữ:	Tiếng Nga
Được phát hành:	2004
Loạt:	Физика полупроводников и диэлектриков
Những chủ đề:	электрические поля гетероструктуры квантовые ямы пропускание параметры температурные зависимости коэффициент пропускания внешнеее напряжение смещения
Định dạng:	Chương của sách
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=420193

Những quyển sách tương tự

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
Bằng: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Được phát hành: (2012)

Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле
Được phát hành: (2004)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons
Bằng: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Được phát hành: (2016)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP
Bằng: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Được phát hành: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
Bằng: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Được phát hành: (2014)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation
Bằng: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Được phát hành: (2015)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры
Được phát hành: (2013)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation
Bằng: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Được phát hành: (2016)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
Bằng: Олешко В. И. Владимир Иванович
Được phát hành: (2013)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
Bằng: Васенев А. С.
Được phát hành: (2012)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
Được phát hành: (2013)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
Bằng: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Được phát hành: (Томск, [Б. и.], 2017)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation
Bằng: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Được phát hành: (2018)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
Bằng: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Được phát hành: (Томск, [Б. и.], 2018)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
Bằng: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Được phát hành: (2019)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP
Bằng: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Được phát hành: (2012)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
Bằng: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Được phát hành: (2013)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure
Bằng: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Được phát hành: (2015)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
Bằng: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Được phát hành: (2014)

Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле
Bằng: Серов А. Ю.
Được phát hành: (2004)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами
Bằng: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Được phát hành: (2011)

Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников
Bằng: Бактыбаев А. А.
Được phát hành: (2016)

Топологические переходы в размерно-квантованных гетероструктурах
Bằng: Горбацевич А. А.
Được phát hành: (2003)

Комбинированные переходы двумерных электронов в несимметричных гетероструктурах
Bằng: Васько Ф. Т.
Được phát hành: (2003)

Отражение, пропускание и рассеяние света фотонными кристаллами на основе пленок опалов
Bằng: Соловьев В. Г.
Được phát hành: (2004)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
Bằng: Ли Цзысюань
Được phát hành: (2017)

Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»
Bằng: Филато Д. О.
Được phát hành: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Được phát hành: (2016)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
Bằng: Олешко В. И. Владимир Иванович
Được phát hành: (2015)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
Bằng: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Được phát hành: (Томск, 2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
Bằng: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Được phát hành: (Томск, 2013)

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной монография
Bằng: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Được phát hành: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
Bằng: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Được phát hành: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
Bằng: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Được phát hành: (Томск, 2013)

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной учебное пособие
Bằng: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Được phát hành: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)

Физика низкоразмерных структур учебное пособие
Bằng: Морозов В. Г.
Được phát hành: (Москва, РТУ МИРЭА, 2019)

Тест-система диагностики температурных характеристик светоизлучающих наногетероструктур на основе твердых растворов AlGaN И GaInN
Bằng: Менькович Е. А.
Được phát hành: (2012)

Расчет коэффициента пропускания атмосферы при проектировании оптико-электронных приборов
Bằng: Каледин С. Б.
Được phát hành: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2006)

Divide-and-allocate: An uplink successive bandwidth division NOMA system
Bằng: Qureshi S. Soma
Được phát hành: (2018)

Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций учебно-методическое пособие
Bằng: Курочка С. П.
Được phát hành: (Москва, МИСИС, 2015)