Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
| Parent link: | Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 47, № 11.— 2004.— с. 3-9 |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Altres autors: | |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
2004
|
| Col·lecció: | Физика полупроводников и диэлектриков |
| Matèries: | |
| Format: | Capítol de llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=420193 |