|
|
|
|
| LEADER |
00000naa2a2200000 4500 |
| 001 |
420193 |
| 005 |
20231101073334.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\prd\77683
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\prd\32837
|
| 090 |
|
|
|a 420193
|
| 100 |
|
|
|a 20100302a2004 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой
|f Н. С. Грушко, Л. Н. Потанахина
|
| 225 |
1 |
|
|a Физика полупроводников и диэлектриков
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: 10 назв.
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191
|x 0021-3411
|t Известия вузов. Физика
|f Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет
|d 1958-
|
| 463 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\77682
|t Т. 47, № 11
|v с. 3-9
|d 2004
|
| 610 |
1 |
|
|a электрические поля
|
| 610 |
1 |
|
|a гетероструктуры
|
| 610 |
1 |
|
|a квантовые ямы
|
| 610 |
1 |
|
|a пропускание
|
| 610 |
1 |
|
|a параметры
|
| 610 |
1 |
|
|a температурные зависимости
|
| 610 |
1 |
|
|a коэффициент пропускания
|
| 610 |
1 |
|
|a внешнеее напряжение смещения
|
| 675 |
|
|
|a 621.315.592
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Грушко
|b Н. С.
|
| 701 |
|
1 |
|a Потанахина
|b Л. Н.
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20050216
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20101109
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
