Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10

Detalhes bibliográficos
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 47, № 10.— 2004.— с. 109-111
Autor principal:	Пешев В. В.
Idioma:	russo
Publicado em:	2004
Colecção:	Краткие сообщения
Assuntos:	радиационные дефекты отжиг зарядовое состояние легирование полупроводники барьер Шотки
Formato:	Capítulo de Livro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=420185

Registos relacionados

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
Por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado em: (2005)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado em: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 1999)

Стабильный датчик температуры на основе структур с барьером Шотки на GaAs; Приборы и техника эксперимента; № 3
Por: Филонов Н. Г.
Publicado em: (2002)

Импульсный отжиг полупроводниковых материалов
Publicado em: (Москва, Наука, 1982)

Набор мощных кремниемых диодов с барьером Шотки; Радиомир; № 1
Por: Киселёв В.
Publicado em: (2002)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
Por: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Publicado em: (2016)

Вопросы радиационной технологии полупроводников: [монография]
Publicado em: (Новосибирск, Наука, 1980)

Легирование полупроводников методом ядерных реакций
Publicado em: (Новосибирск, Наука, 1981)

Исследование процессов отжига радиационных дефектов некоторых неорганических диэлектриков. Диэлектрик: [Отчет о НИР]
Publicado em: (Томск, 1969)

Влияние атомов Li на накопление радиационных дефектов в Al; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Por: Давлетшин А. Э.
Publicado em: (2011)

Теория радиационных дефектов в полупроводниках
Por: Тележкин В. А. Вениамин Александрович
Publicado em: (Киев, Наукова думка, 1988)

Модифицирование полупроводников пучками протонов
Por: Козловский В. В. Виталий Васильевич
Publicado em: (СПб., Наука, 2003)

Образование центров Е10 (Ес-0,62 эВ) в фосфиде индия при гамма- и электронном облучениях; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Por: Пешев В. В.
Publicado em: (2002)

Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3
Por: Ардышев М. В.
Publicado em: (2004)

Особенности образования радиационных дефектов на границе металл- n-InP; Перспективные материалы; № 2
Por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado em: (2008)

Моделирование на ЭВМ радиационных дефектов в кристаллах: [сборник]
Publicado em: (Ленинград, Изд-во ФТИ, 1983)

Физические процессы в облученных полупроводниках
Publicado em: (Новосибирск, Наука, 1977)

Новые исследования радиационных повреждений материалов при облучении частицами высокой энергии; Атомная техника за рубежом; № 6
Por: Бронников В. А.
Publicado em: (2003)

Машинное моделирование при исследованиии материалов. Моделирование на ЭВМ дефектов кристаллической решетки: сборник переводов
Publicado em: (Москва, Мир, 1974)

Исследование запасания энергии излучения щелочногалоидными кристаллами и процессов выделения энергии при термическом отжиге радиационных дефектов: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.040
Por: Борисовский В. В.
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 1969)

Исследование запасания энергии излучения щелочногалоидными кристаллами и процессов выделения энергии при термическом отжиге радиационных дефектов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.040
Por: Борисовский В. В.
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 1971)

Особенности введения радиационных дефектов в области барьера Шоттки фосфида индия; Современные проблемы науки и образования; № 3
Por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado em: (2006)

Структура и механические свойства твердых растворов замещения
Por: Панин В. Е. Виктор Евгеньевич
Publicado em: (Москва, Металлургия, 1971)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Por: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2007)

Технология ионного легирования: пер. с яп.
Publicado em: (Москва, Советское радио, 1974)

Size effect in AlN/SiN multilayered films irradiated with helium and argon ions; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 435
Publicado em: (2018)

Радиационное создание дефектов в твердых телах
Publicado em: (Тарту, 1985)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
Por: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publicado em: (2012)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Por: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2007)

Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия
Por: Черняев А. В. Александр Владимирович
Publicado em: (Москва, Радио и связь, 1990)

Исследование процессов преобразования радиационных дефектов в кристаллах CaF2: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Por: Штанько В. Ф. Виктор Федорович
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 1975)

Использование ядерного легирования для получения высокоомного кремния; Изотопы: технологии, материалы и применение
Por: Емец Е. Г. Евгений Геннадьевич
Publicado em: (2016)

Комплексы радиационных дефектов в облученном ионами оксиде алюминия; ФВЗЧК-2004
Por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado em: (2004)

High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-3
Por: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publicado em: (2012)

Эффект Капицы в зарядово-упорядоченных слоистых кристаллах; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 2
Por: Горский П. В.
Publicado em: (2004)

Уравнения кинетики радиационных дефектов; VI Школа-конференция молодых атомщиков Сибири
Por: Матвеев М. В. Максим Витальевич
Publicado em: (2015)

Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках
Por: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
Publicado em: (Москва, Энергоатомиздат, 1991)

Отжиг спаев стекла с металлом
Por: Мазурин О. В. Олег Всеволодович
Publicado em: (Ленинград, Энергия, 1980)

Автоионная микроскопия радиационных дефектов в металлах
Por: Суворов А. Л. Александр Леонидович
Publicado em: (Москва, Энергоиздат, 1982)