Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10

Bibliographic Details
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 47, № 10.— 2004.— с. 109-111
Main Author:	Пешев В. В.
Language:	Russian
Published:	2004
Series:	Краткие сообщения
Subjects:	радиационные дефекты отжиг зарядовое состояние легирование полупроводники барьер Шотки
Format:	Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=420185

Similar Items

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (2005)

Стабильный датчик температуры на основе структур с барьером Шотки на GaAs; Приборы и техника эксперимента; № 3
by: Филонов Н. Г.
Published: (2002)

Набор мощных кремниемых диодов с барьером Шотки; Радиомир; № 1
by: Киселёв В.
Published: (2002)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)

Импульсный отжиг полупроводниковых материалов
Published: (Москва, Наука, 1982)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
by: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Published: (2016)

Вопросы радиационной технологии полупроводников: [монография]
Published: (Новосибирск, Наука, 1980)

Исследование процессов отжига радиационных дефектов некоторых неорганических диэлектриков. Диэлектрик: [Отчет о НИР]
Published: (Томск, 1969)

Легирование полупроводников методом ядерных реакций
Published: (Новосибирск, Наука, 1981)

Образование центров Е10 (Ес-0,62 эВ) в фосфиде индия при гамма- и электронном облучениях; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Пешев В. В.
Published: (2002)

Влияние атомов Li на накопление радиационных дефектов в Al; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Давлетшин А. Э.
Published: (2011)

Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3
by: Ардышев М. В.
Published: (2004)

Теория радиационных дефектов в полупроводниках
by: Тележкин В. А. Вениамин Александрович
Published: (Киев, Наукова думка, 1988)

Модифицирование полупроводников пучками протонов
by: Козловский В. В. Виталий Васильевич
Published: (СПб., Наука, 2003)

Особенности образования радиационных дефектов на границе металл- n-InP; Перспективные материалы; № 2
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (2008)

Моделирование на ЭВМ радиационных дефектов в кристаллах: [сборник]
Published: (Ленинград, Изд-во ФТИ, 1983)

Машинное моделирование при исследованиии материалов. Моделирование на ЭВМ дефектов кристаллической решетки: сборник переводов
Published: (Москва, Мир, 1974)

Физические процессы в облученных полупроводниках
Published: (Новосибирск, Наука, 1977)

Исследование запасания энергии излучения щелочногалоидными кристаллами и процессов выделения энергии при термическом отжиге радиационных дефектов: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.040
by: Борисовский В. В.
Published: (Томск, [Б. и.], 1969)

Новые исследования радиационных повреждений материалов при облучении частицами высокой энергии; Атомная техника за рубежом; № 6
by: Бронников В. А.
Published: (2003)

Исследование запасания энергии излучения щелочногалоидными кристаллами и процессов выделения энергии при термическом отжиге радиационных дефектов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.040
by: Борисовский В. В.
Published: (Томск, [Б. и.], 1971)

Особенности введения радиационных дефектов в области барьера Шоттки фосфида индия; Современные проблемы науки и образования; № 3
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (2006)

Структура и механические свойства твердых растворов замещения
by: Панин В. Е. Виктор Евгеньевич
Published: (Москва, Металлургия, 1971)

Проектирование радиопередающих устройств: учебное пособие для вузов
Published: (Москва, Радио и связь, 1993)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
by: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Published: (Томск, [Б. и.], 2007)

Эффект Капицы в зарядово-упорядоченных слоистых кристаллах; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 2
by: Горский П. В.
Published: (2004)

Size effect in AlN/SiN multilayered films irradiated with helium and argon ions; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 435
Published: (2018)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
by: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Published: (2012)

Радиационное создание дефектов в твердых телах
Published: (Тарту, 1985)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
by: Дорохин М. В.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)

Технология ионного легирования: пер. с яп.
Published: (Москва, Советское радио, 1974)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
by: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Published: (Томск, [Б. и.], 2007)

Комплексы радиационных дефектов в облученном ионами оксиде алюминия; ФВЗЧК-2004
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2004)

Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Ардышев М. В.
Published: (2002)

Использование ядерного легирования для получения высокоомного кремния; Изотопы: технологии, материалы и применение
by: Емец Е. Г. Евгений Геннадьевич
Published: (2016)

Отжиг спаев стекла с металлом
by: Мазурин О. В. Олег Всеволодович
Published: (Ленинград, Энергия, 1980)

Уравнения кинетики радиационных дефектов; VI Школа-конференция молодых атомщиков Сибири
by: Матвеев М. В. Максим Витальевич
Published: (2015)

High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-3
by: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Published: (2012)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Published: (Томск, 2000)