Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs

Detalles Bibliográficos
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 47, № 10.— 2004.— с. 109-111
Autor principal:	Пешев В. В.
Publicado:	2004
Colección:	Краткие сообщения
Materias:	радиационные дефекты отжиг зарядовое состояние легирование полупроводники барьер Шотки
Formato:	Capítulo de libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=420185

Ejemplares similares

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия
por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado: (2005)

Стабильный датчик температуры на основе структур с барьером Шотки на GaAs
por: Филонов Н. Г.
Publicado: (2002)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP
por: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Publicado: (2016)

Импульсный отжиг полупроводниковых материалов
Publicado: (Москва, Наука, 1982)

Набор мощных кремниемых диодов с барьером Шотки
por: Киселёв В.
Publicado: (2002)

Влияние атомов Li на накопление радиационных дефектов в Al
por: Давлетшин А. Э.
Publicado: (2011)

Вопросы радиационной технологии полупроводников [монография]
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1980)

Легирование полупроводников методом ядерных реакций
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1981)

Исследование процессов отжига радиационных дефектов некоторых неорганических диэлектриков. Диэлектрик [Отчет о НИР]
Publicado: (Томск, 1969)

Теория радиационных дефектов в полупроводниках
por: Тележкин В. А. Вениамин Александрович
Publicado: (Киев, Наукова думка, 1988)

Образование центров Е10 (Ес-0,62 эВ) в фосфиде индия при гамма- и электронном облучениях
por: Пешев В. В.
Publicado: (2002)

Модифицирование полупроводников пучками протонов
por: Козловский В. В. Виталий Васильевич
Publicado: (СПб., Наука, 2003)

Особенности образования радиационных дефектов на границе металл- n-InP
por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado: (2008)

Моделирование на ЭВМ радиационных дефектов в кристаллах [сборник]
Publicado: (Ленинград, Изд-во ФТИ, 1983)

Новые исследования радиационных повреждений материалов при облучении частицами высокой энергии
por: Бронников В. А.
Publicado: (2003)

Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2004)

Физические процессы в облученных полупроводниках
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1977)

Исследование запасания энергии излучения щелочногалоидными кристаллами и процессов выделения энергии при термическом отжиге радиационных дефектов диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.040
por: Борисовский В. В.
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1969)

Исследование запасания энергии излучения щелочногалоидными кристаллами и процессов выделения энергии при термическом отжиге радиационных дефектов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.040
por: Борисовский В. В.
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1971)

Особенности введения радиационных дефектов в области барьера Шоттки фосфида индия
por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado: (2006)

Уравнения кинетики радиационных дефектов
por: Матвеев М. В. Максим Витальевич
Publicado: (2015)

Машинное моделирование при исследованиии материалов. Моделирование на ЭВМ дефектов кристаллической решетки сборник переводов
Publicado: (Москва, Мир, 1974)

Size effect in AlN/SiN multilayered films irradiated with helium and argon ions
Publicado: (2018)

Структура и механические свойства твердых растворов замещения
por: Панин В. Е. Виктор Евгеньевич
Publicado: (Москва, Металлургия, 1971)

Уравнения кинетики радиационных дефектов в ГЦК-кристаллах
por: Матвеев М. В. Максим Витальевич
Publicado: (2015)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
por: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)

Начальное взаимное распределение первичных пар радиационных дефектов
por: Лисицин В. М.
Publicado: (1988)

Технология ионного легирования пер. с яп.
Publicado: (Москва, Советское радио, 1974)

Исследование процессов преобразования радиационных дефектов в кристаллах CaF2 диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
por: Штанько В. Ф. Виктор Федорович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1975)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
por: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)

Уравнения кинетики радиационных дефектов в ГЦК-кристаллах
por: Матвеев М. В. Максим Витальевич
Publicado: (2015)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation
por: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publicado: (2012)

Комплексы радиационных дефектов в облученном ионами оксиде алюминия
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2004)

Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия
por: Черняев А. В. Александр Владимирович
Publicado: (Москва, Радио и связь, 1990)

Радиационное создание дефектов в твердых телах
Publicado: (Тарту, 1985)

Исследование концентрации радиационных дефектов, формируемых ионным пучком в металлах
Publicado: (2019)

Кинетика релаксации первичных пар радиационных дефектов в ионных кристаллах
por: Лисицын В. М. Виктор Михайлович
Publicado: (2002)

Метод радиационных дефектов методические рекомендации
Publicado: (Москва, [Б. и.], 1982)

Использование ядерного легирования для получения высокоомного кремния
por: Емец Е. Г. Евгений Геннадьевич
Publicado: (2016)

High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon
por: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publicado: (2012)