Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 47, № 10.— 2004.— с. 109-111
المؤلف الرئيسي:	Пешев В. В.
اللغة:	الروسية
منشور في:	2004
سلاسل:	Краткие сообщения
الموضوعات:	радиационные дефекты отжиг зарядовое состояние легирование полупроводники барьер Шотки
التنسيق:	فصل الكتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=420185

مواد مشابهة

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
حسب: Пешев В. В. Владимир Викторович
منشور في: (2005)

Стабильный датчик температуры на основе структур с барьером Шотки на GaAs; Приборы и техника эксперимента; № 3
حسب: Филонов Н. Г.
منشور في: (2002)

Набор мощных кремниемых диодов с барьером Шотки; Радиомир; № 1
حسب: Киселёв В.
منشور في: (2002)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
حسب: Пешев В. В. Владимир Викторович
منشور في: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
حسب: Пешев В. В. Владимир Викторович
منشور في: (Томск, [Б. и.], 1999)

Импульсный отжиг полупроводниковых материалов
منشور في: (Москва, Наука, 1982)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
حسب: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
منشور في: (2016)

Образование центров Е10 (Ес-0,62 эВ) в фосфиде индия при гамма- и электронном облучениях; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
حسب: Пешев В. В.
منشور في: (2002)

Исследование процессов отжига радиационных дефектов некоторых неорганических диэлектриков. Диэлектрик: [Отчет о НИР]
منشور في: (Томск, 1969)

Влияние атомов Li на накопление радиационных дефектов в Al; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
حسب: Давлетшин А. Э.
منشور في: (2011)

Легирование полупроводников методом ядерных реакций
منشور في: (Новосибирск, Наука, 1981)

Вопросы радиационной технологии полупроводников: [монография]
منشور في: (Новосибирск, Наука, 1980)

Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3
حسب: Ардышев М. В.
منشور في: (2004)

Особенности образования радиационных дефектов на границе металл- n-InP; Перспективные материалы; № 2
حسب: Пешев В. В. Владимир Викторович
منشور في: (2008)

Теория радиационных дефектов в полупроводниках
حسب: Тележкин В. А. Вениамин Александрович
منشور في: (Киев, Наукова думка, 1988)

Модифицирование полупроводников пучками протонов
حسب: Козловский В. В. Виталий Васильевич
منشور في: (СПб., Наука, 2003)

Моделирование на ЭВМ радиационных дефектов в кристаллах: [сборник]
منشور في: (Ленинград, Изд-во ФТИ, 1983)

Проектирование радиопередающих устройств: учебное пособие для вузов
منشور في: (Москва, Радио и связь, 1993)

Машинное моделирование при исследованиии материалов. Моделирование на ЭВМ дефектов кристаллической решетки: сборник переводов
منشور في: (Москва, Мир, 1974)

Эффект Капицы в зарядово-упорядоченных слоистых кристаллах; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 2
حسب: Горский П. В.
منشور في: (2004)

Исследование запасания энергии излучения щелочногалоидными кристаллами и процессов выделения энергии при термическом отжиге радиационных дефектов: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.040
حسب: Борисовский В. В.
منشور في: (Томск, [Б. и.], 1969)

Новые исследования радиационных повреждений материалов при облучении частицами высокой энергии; Атомная техника за рубежом; № 6
حسب: Бронников В. А.
منشور في: (2003)

Исследование запасания энергии излучения щелочногалоидными кристаллами и процессов выделения энергии при термическом отжиге радиационных дефектов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.040
حسب: Борисовский В. В.
منشور في: (Томск, [Б. и.], 1971)

Особенности введения радиационных дефектов в области барьера Шоттки фосфида индия; Современные проблемы науки и образования; № 3
حسب: Пешев В. В. Владимир Викторович
منشور في: (2006)

Физические процессы в облученных полупроводниках
منشور في: (Новосибирск, Наука, 1977)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
حسب: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
منشور في: (Томск, 2000)

Структура и механические свойства твердых растворов замещения
حسب: Панин В. Е. Виктор Евгеньевич
منشور في: (Москва, Металлургия, 1971)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
حسب: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2007)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Автореферат диссертации доктора физико-математических наук
حسب: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2000)

Отжиг спаев стекла с металлом
حسب: Мазурин О. В. Олег Всеволодович
منشور في: (Ленинград, Энергия, 1980)

Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
حسب: Ардышев М. В.
منشور في: (2002)

Комплексы радиационных дефектов в облученном ионами оксиде алюминия; ФВЗЧК-2004
حسب: Кабышев А. В. Александр Васильевич
منشور في: (2004)

Size effect in AlN/SiN multilayered films irradiated with helium and argon ions; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 435
منشور في: (2018)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
حسب: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
منشور في: (2012)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
حسب: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2007)

Уравнения кинетики радиационных дефектов; VI Школа-конференция молодых атомщиков Сибири
حسب: Матвеев М. В. Максим Витальевич
منشور في: (2015)

Радиационное создание дефектов в твердых телах
منشور في: (Тарту, 1985)

Вакуумный отжиг титановых конструкций
منشور في: (Москва, Машиностроение, 1991)

Исследование концентрации радиационных дефектов, формируемых ионным пучком в металлах; Ядерная наука и технологии
منشور في: (2019)

Использование ядерного легирования для получения высокоомного кремния; Изотопы: технологии, материалы и применение
حسب: Емец Е. Г. Евгений Геннадьевич
منشور في: (2016)