Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 47, № 10.— 2004.— с. 109-111
المؤلف الرئيسي:	Пешев В. В.
اللغة:	الروسية
منشور في:	2004
سلاسل:	Краткие сообщения
الموضوعات:	радиационные дефекты отжиг зарядовое состояние легирование полупроводники барьер Шотки
التنسيق:	فصل الكتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=420185

MARC


LEADER	00000naa2a2200000 4500
001	420185
005	20231101073333.0
035			\|a (RuTPU)RU\TPU\prd\77671
035			\|a RU\TPU\prd\32629
090			\|a 420185
100			\|a 20100302a2004 k y0rusy50 ca
101	0		\|a rus
102			\|a RU
200	1		\|a Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs \|f В. В. Пешев
225	1		\|a Краткие сообщения
320			\|a Библиогр.: 7 назв.
461		1	\|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191 \|x 0021-3411 \|t Известия вузов. Физика \|f Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет \|d 1958-
463		1	\|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\77651 \|t Т. 47, № 10 \|v с. 109-111 \|d 2004
610	1		\|a радиационные дефекты
610	1		\|a отжиг
610	1		\|a зарядовое состояние
610	1		\|a легирование
610	1		\|a полупроводники
610	1		\|a барьер Шотки
675			\|a 621.315.592 \|v 3
700		1	\|a Пешев \|b В. В.
801		1	\|a RU \|b 63413507 \|c 20050210 \|g PSBO
801		2	\|a RU \|b 63413507 \|c 20101109 \|g RCR
942			\|c BK