Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 7

Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 7

Détails bibliographiques
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 47, № 7.— 2004.— с. 70-77
Autres auteurs:	Войцеховский А. В., Григорьев Д. В., Коротаев А. Г., Коханенко А. П.
Langue:	russe
Publié:	2004
Collection:	Физика полупроводников и диэлектриков
Sujets:	численное моделирование вариозные слои молекулярно-лучевая эпитаксия электрофизические параметры эпитаксиальные стркутуры КРТ результаты измерений
Format:	Chapitre de livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=420139

Documents similaires

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
par: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publié: (Томск, [Б. и.], 2005)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
par: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publié: (Томск, [Б. и.], 2005)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
par: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publié: (Томск, [Б. и.], 2005)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
par: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Publié: (Нальчик, 2013)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
par: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Publié: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
par: Александрова О. А.
Publié: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Коханенко А. П. Андрей Павлович
Publié: (Томск, 1999)

Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Коханенко А. П. Андрей Павлович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1999)

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ.
Publié: (Москва, Мир, 1989)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
par: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publié: (Новосибирск, 2025)

Т. 4 : Молекулярно-лучевая эпитаксия. Поверхность; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Publié: (1988)

Прочность и износостойкость нанокристаллических структур поверхностей трения сталей с мартенситной основой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 8
par: Макаров А. В.
Publié: (2004)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник; Вып. 5
Publié: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Т. 3 : Рост кристаллов из расплавов; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Publié: (1988)

Т. 1 : Рост кристаллов из газовой фазы. Твердофазные превращения; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Publié: (1988)

Эпитаксиальные образования в природе и их учет в землепользовании; Проблемы геологии и освоения недр; Т. 2
par: Киреева А. Е.
Publié: (2016)

Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций учебно-методическое пособие
par: Курочка С. П.
Publié: (Москва, МИСИС, 2015)

Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
par: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Publié: (Новосибирск, 2025)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
par: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publié: (2012)

Т. 2 : Рост кристаллов из растворов. Выращивание монокристаллов и пленок высокотемпературных сверхпроводников; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Publié: (1988)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
par: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Publié: (Москва, Энергия, 1974)

Эпитаксиальные пленки на основе гадолиний-галлиевого граната как перспективный магнитооптический и оптически-активный материал; Наукоемкие технологии; № 11
par: Рандошкин В. В.
Publié: (2004)

Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
par: Асеев А. Л.
Publié: (2003)

Жидкофазная эпитаксия кремния
Publié: (Москва, Металлургия, 1989)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике": диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
par: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Publié: (Новосибирск, 2011)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
par: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Publié: (Томск, 2011)

Эпитаксиальные пленки
par: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Publié: (Москва, Наука, 1971)

Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CDSe/ZnSe; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 1
Publié: (2004)

Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза; Материалы электронной техники
Publié: (1983)

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
par: Акчурин Р. Х.
Publié: (Москва, Техносфера, 2018)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур «полупроводник на диэлектрике»: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
par: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Publié: (Томск, 2011)

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
par: Дирко В. В. Владимир Владиславович
Publié: (Томск, [Б. и.], 2022)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
par: Чижевич Л. А.
Publié: (Томск, [Б. и.], 1974)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Publié: (2015)

Поверхность кристалла и эпитаксия
par: Абдурагимов Г. А. Гаджи Асланович
Publié: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1987)

Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production
Publié: (Amsterdam, Elsevier, 2013)

Методы получения эпитаксиальных гетерокомпозиций учебное пособие для вузов
par: Ратушный В. И.
Publié: (Москва, НИЯУ МИФИ, 2012)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
par: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Publié: (2014)

Полупроводниковые приборы и электронная аппаратура: межвузовский сборник
Publié: (Кишинев, Штиинца, 1978)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
par: Сычева А. В.
Publié: (2014)