Метод огибающих функций для гетероструктур. Модели сшивания и применения для [AlAs/AlxGa1-xAs(110)]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6

Метод огибающих функций для гетероструктур. Модели сшивания и применения для [AlAs/AlxGa1-xAs(110)]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6

Bibliografiset tiedot
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 46, № 6.— 2003.— с. 51-58
Päätekijä:	Караваев Г. Ф.
Muut tekijät:	Чернышев В. Н.
Kieli:	venäjä
Julkaistu:	2003
Aiheet:	гетероструктуры модели сшивания огибающие функции псевдопотенциальные расчеты
Aineistotyyppi:	Kirjan osa
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419873

Samankaltaisia teoksia

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
Tekijä: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Julkaistu: (2012)

Исследование износа зубьев твердосплавных дисковых огибающих зуборезных фрез; Справочник. Инженерный журнал; № 11
Tekijä: Сотников В. И.
Julkaistu: (2005)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
Tekijä: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Julkaistu: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
Tekijä: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Julkaistu: (2012)

Термодинамика и корреляционные функции ультрахолодной неидеальной ридберговской плазмы; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 4
Julkaistu: (2004)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
Tekijä: Васенев А. С.
Julkaistu: (2012)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
Tekijä: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Julkaistu: (2012)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
Tekijä: Ли Цзысюань
Julkaistu: (2017)

Коррекция искажений выборки, скользящей вдоль огибающей модуляционного импульса, с помощью табличного декодирования; Дефектоскопия; № 9
Tekijä: Хандецкий В. С.
Julkaistu: (2002)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
Tekijä: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Julkaistu: (2012)

Электрохимия полупроводниковых гетероструктур
Tekijä: Кулак А. И. Анатолий Иосифович
Julkaistu: (Минск, Университетское, 1986)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
Tekijä: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Julkaistu: (2012)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
Tekijä: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Julkaistu: (2012)

Исследование стойкости светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs к воздействию нейтронного излучения; Физико-технические проблемы в науке, промышленности и медицине
Tekijä: Жамалдинов Ф. Ф.
Julkaistu: (2022)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
Tekijä: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Julkaistu: (2014)

Светодиоды на основе гетероструктур AlGaAs: действие гамма-излучения и эксплуатационных факторов; IX Школа-конференция молодых атомщиков Сибири
Tekijä: Симонова А. В.
Julkaistu: (2018)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Julkaistu: (2013)

The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
Tekijä: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Julkaistu: (2003)

Выделение огибающей сложного сигнала на основе расчёта функции группового запаздывания; Молодежь и современные информационные технологии
Tekijä: Тяжкун Н. А.
Julkaistu: (2006)

Линейные электрические цепи. Новые разделы курса теоретических основ электротехники: учебное пособие
Tekijä: Бессонов Л. А. Лев Алексеевич
Julkaistu: (Москва, Высшая школа, 1974)

Краткое введение в теорию липшицевой глобальной оптимизации учебно-методическое пособие
Tekijä: Сергеев Я. Д.
Julkaistu: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2016)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
Tekijä: Цзысюань Ли
Julkaistu: (2023)

Выбор огибающей зондирующего вибрационного сигнала; Современные техника и технологии
Tekijä: Мойзес Б. Б. Борис Борисович
Julkaistu: (2000)

Фотокаталитическая активность гетероструктур на основе оксида цинка; Химия и химическая технология в XXI веке
Tekijä: Юхновец О. И.
Julkaistu: (2018)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
Tekijä: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Julkaistu: (2013)

Получение сульфидных гетероструктур для фотоэлектрохимических материалов; Химия и химическая технология в XXI веке
Tekijä: Титов М. Н.
Julkaistu: (2020)

Исследование многокомпанентных висмутсодержащих гетероструктур на основе соединений [A3B5]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 11
Julkaistu: (2003)

Дифференциальный метод определения скорости перемещения контакта при линейном касании взаимоогибаемых поверхностей; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 308, № 6
Tekijä: Виноградов А. Б.
Julkaistu: (2005)

Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
Tekijä: Асеев А. Л.
Julkaistu: (2003)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Tekijä: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Julkaistu: (Томск, 2012)

Получение гетероструктур Ag[2]S/Ag фотохимическим методом; Химия и химическая технология в XXI веке
Tekijä: Итыгина Д. Р.
Julkaistu: (2020)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
Tekijä: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Julkaistu: (2016)

Экспериментальные исследования сейсмической коды
Julkaistu: (Москва, Наука, 1981)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 2
Tekijä: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Julkaistu: (2013)

Тест-система диагностики температурных характеристик светоизлучающих наногетероструктур на основе твердых растворов AlGaN И GaInN; Современные техника и технологии; Т. 3
Tekijä: Менькович Е. А.
Julkaistu: (2012)

Основы формообразования поверхностей резанием: учебное пособие для вузов
Tekijä: Родин П. Р. Петр Родионович
Julkaistu: (Киев, Вища школа, 1977)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Современные техника и технологии; Т. 3
Tekijä: Козубова М. А.
Julkaistu: (2013)

Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур: [монография]
Tekijä: Корольков В. И. Владимир Ильич
Julkaistu: (Ташкент, Фан, 1986)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
Tekijä: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Julkaistu: (2013)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
Tekijä: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Julkaistu: (2016)