Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6

Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6

Détails bibliographiques
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 46, № 6.— 2003.— с. 21-26
Auteur principal:	Асеев А. Л.
Autres auteurs:	Пчеляков О. П., Торопов А. И.
Langue:	russe
Publié:	2003
Sujets:	полупроводниковая электроника одноэлектронные приборы нанотехнологии гетероструктуры молекулярно-лучевая эпитаксия
Format:	Chapitre de livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419869

Documents similaires

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ.
Publié: (Москва, Мир, 1989)

Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций учебно-методическое пособие
par: Курочка С. П.
Publié: (Москва, МИСИС, 2015)

Формирование состава в подрешётке пятой группы твёрдых растворов GaPxAs1-x(001) и InAsxSb1-x(001) при молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
par: Емельянов Е. А. Евгений Александрович
Publié: (Новосибирск, 2026)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
par: Цзысюань Ли
Publié: (2023)

Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production
Publié: (Amsterdam, Elsevier, 2013)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
par: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Publié: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике": диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
par: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Publié: (Новосибирск, 2011)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
par: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Publié: (Томск, 2011)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур «полупроводник на диэлектрике»: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
par: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Publié: (Томск, 2011)

Элементы и устройства наноэлектроники учебное пособие
par: Сергеев В. А.
Publié: (Ульяновск, УлГТУ, 2016)

Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 7
Publié: (2004)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
par: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Publié: (Нальчик, 2013)

Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике
Publié: (Москва, Техносфера, 2010)

Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CDSe/ZnSe; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 1
Publié: (2004)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
par: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publié: (Новосибирск, 2025)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
par: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publié: (2012)

Полупроводниковые арсениды и фосфиды элементов III группы
Publié: (Ташкент, Фан, 1981)

Физика наносистем
par: Кульбачинский В. А.
Publié: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2023)

Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
par: Шашурин В. Д.
Publié: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)

Полупроводниковые структуры и средства управления технологическими процессами. Вопросы электроники: межвузовский сборник
Publié: (Кишинев, Штиинца, 1979)

Т. 1 : Рост кристаллов из газовой фазы. Твердофазные превращения; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Publié: (1988)

Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники: Оптоэлектронные преобразователи излучений курс лекций
par: Кузнецов Г. Д.
Publié: (Москва, МИСИС, 2001)

Т. 4 : Молекулярно-лучевая эпитаксия. Поверхность; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Publié: (1988)

Т. 3 : Рост кристаллов из расплавов; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Publié: (1988)

Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
par: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Publié: (Новосибирск, 2025)

Т. 2 : Рост кристаллов из растворов. Выращивание монокристаллов и пленок высокотемпературных сверхпроводников; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Publié: (1988)

Материалы полупроводниковой электроники: тематический сборник
Publié: (Ленинград, Изд-во ФТИ, 1984)

Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии
par: Гусев А. И. Александр Иванович
Publié: (Москва, Физматлит, 2007)

Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии
par: Гусев А. И. Александр Иванович
Publié: (Москва, Физматлит, 2005)

Vol. 140 : Interdisciplinary Problems in Additive Technologies: International Seminar, 16–17 December 2015, Tomsk, Russia; [proceedings]; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
Publié: (2016)

Исследование многокомпанентных висмутсодержащих гетероструктур на основе соединений [A3B5]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 11
Publié: (2003)

Методы получения эпитаксиальных гетерокомпозиций учебное пособие для вузов
par: Ратушный В. И.
Publié: (Москва, НИЯУ МИФИ, 2012)

Градиентная эпитаксия для получения микро и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону монография
par: Сысоев И. А.
Publié: (Ставрополь, СКФУ, 2015)

Нанотехнология в электронике. Введение в специальность: учебное пособие
par: Лозовский В. Н. Владимир Николаевич
Publié: (СПб., Лань, 2008)

Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии
par: Гусев А. И. Александр Иванович
Publié: (Москва, Физматлит, 2009)

Метод огибающих функций для гетероструктур. Модели сшивания и применения для [AlAs/AlxGa1-xAs(110)]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
par: Караваев Г. Ф.
Publié: (2003)

Наноэлектроника. Курс лекций
par: Орлова М. Н.
Publié: (Москва, МИСИС, 2013)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
par: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publié: (Томск, [Б. и.], 2005)

Основы нано- и функциональной электроники
par: Смирнов Ю. А.
Publié: (Санкт-Петербург, Лань, 2022)

Физика полупроводниковых приборов Учебное пособие
par: Смирнов В.И. Виталий Иванович
Publié: (Вологда, Инфра-Инженерия, 2023)