Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
| Parent link: | Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 46, № 6.— 2003.— с. 21-26 |
|---|---|
| Glavni autor: | Асеев А. Л. |
| Daljnji autori: | Пчеляков О. П., Торопов А. И. |
| Jezik: | ruski |
| Izdano: |
2003
|
| Teme: | |
| Format: | Poglavlje knjige |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419869 |
Slični predmeti
Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ.
Izdano: (Москва, Мир, 1989)
Izdano: (Москва, Мир, 1989)
Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций учебно-методическое пособие
od: Курочка С. П.
Izdano: (Москва, МИСИС, 2015)
od: Курочка С. П.
Izdano: (Москва, МИСИС, 2015)
Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
od: Цзысюань Ли
Izdano: (2023)
od: Цзысюань Ли
Izdano: (2023)
Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production
Izdano: (Amsterdam, Elsevier, 2013)
Izdano: (Amsterdam, Elsevier, 2013)
Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
od: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Izdano: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
od: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Izdano: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике": диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
od: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Izdano: (Новосибирск, 2011)
od: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Izdano: (Новосибирск, 2011)
Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
od: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Izdano: (Томск, 2011)
od: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Izdano: (Томск, 2011)
Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур «полупроводник на диэлектрике»: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
od: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Izdano: (Томск, 2011)
od: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Izdano: (Томск, 2011)
Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 7
Izdano: (2004)
Izdano: (2004)
Элементы и устройства наноэлектроники учебное пособие
od: Сергеев В. А.
Izdano: (Ульяновск, УлГТУ, 2016)
od: Сергеев В. А.
Izdano: (Ульяновск, УлГТУ, 2016)
Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CDSe/ZnSe; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 1
Izdano: (2004)
Izdano: (2004)
Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
od: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Izdano: (Нальчик, 2013)
od: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Izdano: (Нальчик, 2013)
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике
Izdano: (Москва, Техносфера, 2010)
Izdano: (Москва, Техносфера, 2010)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
od: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Izdano: (Новосибирск, 2025)
od: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Izdano: (Новосибирск, 2025)
Полупроводниковые арсениды и фосфиды элементов III группы
Izdano: (Ташкент, Фан, 1981)
Izdano: (Ташкент, Фан, 1981)
Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2012)
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2012)
Полупроводниковые структуры и средства управления технологическими процессами. Вопросы электроники: межвузовский сборник
Izdano: (Кишинев, Штиинца, 1979)
Izdano: (Кишинев, Штиинца, 1979)
Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
od: Шашурин В. Д.
Izdano: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)
od: Шашурин В. Д.
Izdano: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)
Т. 1 : Рост кристаллов из газовой фазы. Твердофазные превращения; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Izdano: (1988)
Izdano: (1988)
Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники: Оптоэлектронные преобразователи излучений курс лекций
od: Кузнецов Г. Д.
Izdano: (Москва, МИСИС, 2001)
od: Кузнецов Г. Д.
Izdano: (Москва, МИСИС, 2001)
Т. 4 : Молекулярно-лучевая эпитаксия. Поверхность; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Izdano: (1988)
Izdano: (1988)
Т. 3 : Рост кристаллов из расплавов; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Izdano: (1988)
Izdano: (1988)
Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
od: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Izdano: (Новосибирск, 2025)
od: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Izdano: (Новосибирск, 2025)
Т. 2 : Рост кристаллов из растворов. Выращивание монокристаллов и пленок высокотемпературных сверхпроводников; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Izdano: (1988)
Izdano: (1988)
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
od: Александрова О. А.
Izdano: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
od: Александрова О. А.
Izdano: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
Материалы полупроводниковой электроники: тематический сборник
Izdano: (Ленинград, Изд-во ФТИ, 1984)
Izdano: (Ленинград, Изд-во ФТИ, 1984)
Исследование многокомпанентных висмутсодержащих гетероструктур на основе соединений [A3B5]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 11
Izdano: (2003)
Izdano: (2003)
Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии
od: Гусев А. И. Александр Иванович
Izdano: (Москва, Физматлит, 2005)
od: Гусев А. И. Александр Иванович
Izdano: (Москва, Физматлит, 2005)
Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии
od: Гусев А. И. Александр Иванович
Izdano: (Москва, Физматлит, 2007)
od: Гусев А. И. Александр Иванович
Izdano: (Москва, Физматлит, 2007)
Vol. 140 : Interdisciplinary Problems in Additive Technologies: International Seminar, 16–17 December 2015, Tomsk, Russia; [proceedings]; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
Izdano: (2016)
Izdano: (2016)
Метод огибающих функций для гетероструктур. Модели сшивания и применения для [AlAs/AlxGa1-xAs(110)]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
od: Караваев Г. Ф.
Izdano: (2003)
od: Караваев Г. Ф.
Izdano: (2003)
Градиентная эпитаксия для получения микро и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону монография
od: Сысоев И. А.
Izdano: (Ставрополь, СКФУ, 2015)
od: Сысоев И. А.
Izdano: (Ставрополь, СКФУ, 2015)
Методы получения эпитаксиальных гетерокомпозиций учебное пособие для вузов
od: Ратушный В. И.
Izdano: (Москва, НИЯУ МИФИ, 2012)
od: Ратушный В. И.
Izdano: (Москва, НИЯУ МИФИ, 2012)
Нанотехнология в электронике. Введение в специальность: учебное пособие
od: Лозовский В. Н. Владимир Николаевич
Izdano: (СПб., Лань, 2008)
od: Лозовский В. Н. Владимир Николаевич
Izdano: (СПб., Лань, 2008)
Наноэлектроника. Курс лекций
od: Орлова М. Н.
Izdano: (Москва, МИСИС, 2013)
od: Орлова М. Н.
Izdano: (Москва, МИСИС, 2013)
Физика полупроводниковых приборов Учебное пособие
od: Смирнов В.И. Виталий Иванович
Izdano: (Вологда, Инфра-Инженерия, 2023)
od: Смирнов В.И. Виталий Иванович
Izdano: (Вологда, Инфра-Инженерия, 2023)
Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии
od: Гусев А. И. Александр Иванович
Izdano: (Москва, Физматлит, 2009)
od: Гусев А. И. Александр Иванович
Izdano: (Москва, Физматлит, 2009)
Основы нано- и функциональной электроники
od: Смирнов Ю. А.
Izdano: (Санкт-Петербург, Лань, 2022)
od: Смирнов Ю. А.
Izdano: (Санкт-Петербург, Лань, 2022)
Сильноточный импульсный стереобетатрон; Известия вузов. Физика; № 5
Izdano: (1959)
Izdano: (1959)
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
od: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Izdano: (Томск, [Б. и.], 2005)
od: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Izdano: (Томск, [Б. и.], 2005)
Slični predmeti
-
Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ.
Izdano: (Москва, Мир, 1989) -
Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций учебно-методическое пособие
od: Курочка С. П.
Izdano: (Москва, МИСИС, 2015) -
Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
od: Цзысюань Ли
Izdano: (2023) -
Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production
Izdano: (Amsterdam, Elsevier, 2013) -
Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
od: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Izdano: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)