Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6

Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6

Մատենագիտական մանրամասներ
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 46, № 6.— 2003.— с. 21-26
Հիմնական հեղինակ:	Асеев А. Л.
Այլ հեղինակներ:	Пчеляков О. П., Торопов А. И.
Լեզու:	ռուսերեն
Հրապարակվել է:	2003
Խորագրեր:	полупроводниковая электроника одноэлектронные приборы нанотехнологии гетероструктуры молекулярно-лучевая эпитаксия
Ձևաչափ:	Գրքի գլուխ
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419869

Նմանատիպ նյութեր

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ.
Հրապարակվել է: (Москва, Мир, 1989)

Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций учебно-методическое пособие
‌: Курочка С. П.
Հրապարակվել է: (Москва, МИСИС, 2015)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
‌: Цзысюань Ли
Հրապարակվել է: (2023)

Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production
Հրապարակվել է: (Amsterdam, Elsevier, 2013)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
‌: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Հրապարակվել է: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике": диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
‌: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Հրապարակվել է: (Новосибирск, 2011)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
‌: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Հրապարակվել է: (Томск, 2011)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур «полупроводник на диэлектрике»: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
‌: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Հրապարակվել է: (Томск, 2011)

Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 7
Հրապարակվել է: (2004)

Элементы и устройства наноэлектроники учебное пособие
‌: Сергеев В. А.
Հրապարակվել է: (Ульяновск, УлГТУ, 2016)

Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CDSe/ZnSe; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 1
Հրապարակվել է: (2004)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
‌: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Հրապարակվել է: (Нальчик, 2013)

Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике
Հրապարակվել է: (Москва, Техносфера, 2010)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
‌: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Հրապարակվել է: (Новосибирск, 2025)

Полупроводниковые арсениды и фосфиды элементов III группы
Հրապարակվել է: (Ташкент, Фан, 1981)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
‌: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)

Полупроводниковые структуры и средства управления технологическими процессами. Вопросы электроники: межвузовский сборник
Հրապարակվել է: (Кишинев, Штиинца, 1979)

Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
‌: Шашурин В. Д.
Հրապարակվել է: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)

Т. 1 : Рост кристаллов из газовой фазы. Твердофазные превращения; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Հրապարակվել է: (1988)

Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники: Оптоэлектронные преобразователи излучений курс лекций
‌: Кузнецов Г. Д.
Հրապարակվել է: (Москва, МИСИС, 2001)

Т. 4 : Молекулярно-лучевая эпитаксия. Поверхность; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Հրապարակվել է: (1988)

Т. 3 : Рост кристаллов из расплавов; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Հրապարակվել է: (1988)

Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
‌: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Հրապարակվել է: (Новосибирск, 2025)

Т. 2 : Рост кристаллов из растворов. Выращивание монокристаллов и пленок высокотемпературных сверхпроводников; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Հրապարակվել է: (1988)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
‌: Александрова О. А.
Հրապարակվել է: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Материалы полупроводниковой электроники: тематический сборник
Հրապարակվել է: (Ленинград, Изд-во ФТИ, 1984)

Исследование многокомпанентных висмутсодержащих гетероструктур на основе соединений [A3B5]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 11
Հրապարակվել է: (2003)

Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии
‌: Гусев А. И. Александр Иванович
Հրապարակվել է: (Москва, Физматлит, 2005)

Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии
‌: Гусев А. И. Александр Иванович
Հրապարակվել է: (Москва, Физматлит, 2007)

Vol. 140 : Interdisciplinary Problems in Additive Technologies: International Seminar, 16–17 December 2015, Tomsk, Russia; [proceedings]; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
Հրապարակվել է: (2016)

Метод огибающих функций для гетероструктур. Модели сшивания и применения для [AlAs/AlxGa1-xAs(110)]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
‌: Караваев Г. Ф.
Հրապարակվել է: (2003)

Градиентная эпитаксия для получения микро и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону монография
‌: Сысоев И. А.
Հրապարակվել է: (Ставрополь, СКФУ, 2015)

Методы получения эпитаксиальных гетерокомпозиций учебное пособие для вузов
‌: Ратушный В. И.
Հրապարակվել է: (Москва, НИЯУ МИФИ, 2012)

Нанотехнология в электронике. Введение в специальность: учебное пособие
‌: Лозовский В. Н. Владимир Николаевич
Հրապարակվել է: (СПб., Лань, 2008)

Наноэлектроника. Курс лекций
‌: Орлова М. Н.
Հրապարակվել է: (Москва, МИСИС, 2013)

Физика полупроводниковых приборов Учебное пособие
‌: Смирнов В.И. Виталий Иванович
Հրապարակվել է: (Вологда, Инфра-Инженерия, 2023)

Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии
‌: Гусев А. И. Александр Иванович
Հրապարակվել է: (Москва, Физматлит, 2009)

Основы нано- и функциональной электроники
‌: Смирнов Ю. А.
Հրապարակվել է: (Санкт-Петербург, Лань, 2022)

Сильноточный импульсный стереобетатрон; Известия вузов. Физика; № 5
Հրապարակվել է: (1959)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
‌: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Հրապարակվել է: (Томск, [Б. и.], 2005)