Пороговые характеристики инфракрасных детекторов на основе гетеропереходов GeSi/Si; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4

Podrobná bibliografie
Parent link:Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411
Т. 46, № 4.— 2003.— с. 26-28
Hlavní autor: Войцеховский А. В.
Další autoři: Коханенко А. П., Несмелов С. Н.
Jazyk:ruština
Vydáno: 2003
Edice:Физика полупроводников и диэлектриков
Témata:
Médium: xMaterials Kapitola
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419836

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 419836
005 20231101073319.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\77294 
035 |a RU\TPU\prd\15687 
090 |a 419836 
100 |a 20100227a2003 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Пороговые характеристики инфракрасных детекторов на основе гетеропереходов GeSi/Si  |f А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, С. Н. Несмелов 
225 1 |a Физика полупроводников и диэлектриков 
320 |a Библиогр.: 5 назв. 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191  |x 0021-3411  |t Известия вузов. Физика  |f Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет  |d 1958- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\77289  |t Т. 46, № 4  |v с. 26-28  |d 2003 
610 1 |a пороговые характеристики 
610 1 |a инфракрасные детекторы 
610 1 |a эмиссионные детекторы 
610 1 |a гетеропереходы 
610 1 |a анализ 
610 1 |a зависимости 
610 1 |a температура 
610 1 |a обнаружительные способности 
610 1 |a параметры детекторов 
675 |a 621.315  |v 3 
700 1 |a Войцеховский  |b А. В. 
701 1 |a Коханенко  |b А. П. 
701 1 |a Несмелов  |b С. Н. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20030627  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20101028  |g RCR 
942 |c BK