Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4

Detalles Bibliográficos
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 46, № 4.— 2003.— с. 14-18
Outros autores:	Курдиани Н. И., Метревели Н. К., Хавтаси Л. Г., Чиковани Н. Н.
Idioma:	ruso
Publicado:	2003
Series:	Физика полупроводников и диэлектриков
Subjects:	фотопроводимость окись хрома полуизолирующий GaAs термообработка кристаллы облучение теория Де-Вора
Formato:	Capítulo de libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419833

Títulos similares

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2010)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2012)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
por: Нишизава Дж.-И.
Publicado: (2003)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Publicado: (2007)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 139, iss. 1-4
Publicado: (1998)

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1; Ядерно-физические технологии в клинической и экспериментальной медицине: состояние, проблемы, перспективы
por: Синягина М. А.
Publicado: (2013)

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
por: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Publicado: (Томск, 2023)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
por: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Publicado: (2016)

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2011)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
Publicado: (2004)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
por: Спирина А. А. Анна Александровна
Publicado: (Новосибирск, 2023)

Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб; Измерительная техника; № 8
Publicado: (2003)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide; Journal of X-Ray Science and Technology; Vol. 25, iss. 4
por: Ayzenshtat G. I.
Publicado: (2017)

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика
Publicado: (2010)

Высокоомные фотопроводящие полупроводники
Publicado: (Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1968)

Исследование и совершенствование процесса плавки хромистого электрокорунда: Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 05.17.11
por: Поддубняк Н. И. Николай Иосифович
Publicado: (Томск, 1974)

Основы теории фотопроводимости: пер. с англ.
por: Роуз А. Альберт
Publicado: (Москва, Мир, 1966)

Тезисы докладов второй Всесоюзной конференции по физике диэлектриков, Москва, 20-28 ноября 1958 г.
Publicado: (Москва, Изд-во АН СССР, 1985)

Аппаратура для радиационных исследований индуцированной примесной фотопроводимости в монокристаллическом SI<B>; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Неразрушающий контроль и диагностика
por: Зыков В. М. Владимир Михайлович
Publicado: (2008)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Publicado: (2016)

Исследование квазиравновесной индуцированной фотопроводимости в слабо компенсированном примесном кремнии; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Неразрушающий контроль и диагностика
por: Зыков В. М. Владимир Михайлович
Publicado: (2008)

Исследование поверхностного кислорода окиси хрома и его роли в каталитическом окислении окиси углерода методом меченых атомов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук; спец. 02.00.04
por: Эвальд Г. Герман
Publicado: (Новосибирск, [Б. и.], 1973)

Изменение фотопроводимости электролюминесцирующих монокристаллов ZnS при возбуждении переменным полем; Известия вузов. Физика; № 11
por: Джузеев У. Д.
Publicado: (1967)

Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
por: Шашурин В. Д.
Publicado: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2013)

Т. 1, вып. 5: О токе насыщения при фотопроводимости рентгенированной каменной соли; Труды Сибирского физико-технического института
por: Калабухов Н.
Publicado: (1932)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2012)

Особенности электро- и фотопроводимости марганцево-германиевых гранатов; Физика твердого тела; Т. 44, № 1
Publicado: (2002)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2016)

Особенности фотопроводимости хлопковых волокон с примесью йода при освещении собственной полосой поглощения; Письма в Журнал технической физики; Т. 28, вып. 14
Publicado: (2002)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2013)

Полупроводники: пер. с англ.
por: Райт Д.
Publicado: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1957)

Вольтамперная характеристика InGaTe₂; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 326, № 5
por: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
Publicado: (2015)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2012)

Металлургия хрома
por: Плинер Ю.Л. Юрий Львович
Publicado: (Москва, Металлургия, 1965)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2012)

Исследование основных закономерностей технологии плавки и распределения легирующей добавки в блоке хромистого электрокорунда: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.17.11
por: Фомкин Н. И.
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1975)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2012)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2012)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
por: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publicado: (Новосибирск, 2025)