Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]

Bibliografiske detaljer
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 46, № 4.— 2003.— с. 14-18
Andre forfattere:	Курдиани Н. И., Метревели Н. К., Хавтаси Л. Г., Чиковани Н. Н.
Sprog:	russisk
Udgivet:	2003
Serier:	Физика полупроводников и диэлектриков
Fag:	фотопроводимость окись хрома полуизолирующий GaAs термообработка кристаллы облучение теория Де-Вора
Format:	Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419833

Lignende værker

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers
Udgivet: (1998)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2010)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов
af: Нишизава Дж.-И.
Udgivet: (2003)

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1
af: Синягина М. А.
Udgivet: (2013)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2012)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка
Udgivet: (2007)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP
af: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Udgivet: (2016)

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2011)

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
af: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Udgivet: (Томск, 2023)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению
Udgivet: (2004)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
af: Спирина А. А. Анна Александровна
Udgivet: (Новосибирск, 2023)

Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб
Udgivet: (2003)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide
af: Ayzenshtat G. I.
Udgivet: (2017)

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения
Udgivet: (2010)

Высокоомные фотопроводящие полупроводники
Udgivet: (Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1968)

Исследование и совершенствование процесса плавки хромистого электрокорунда Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 05.17.11
af: Поддубняк Н. И. Николай Иосифович
Udgivet: (Томск, 1974)

Аппаратура для радиационных исследований индуцированной примесной фотопроводимости в монокристаллическом SI<B>
af: Зыков В. М. Владимир Михайлович
Udgivet: (2008)

Основы теории фотопроводимости пер. с англ.
af: Роуз А. Альберт
Udgivet: (Москва, Мир, 1966)

Исследование квазиравновесной индуцированной фотопроводимости в слабо компенсированном примесном кремнии
af: Зыков В. М. Владимир Михайлович
Udgivet: (2008)

Тезисы докладов второй Всесоюзной конференции по физике диэлектриков, Москва, 20-28 ноября 1958 г.
Udgivet: (Москва, Изд-во АН СССР, 1985)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Udgivet: (2016)

Изменение фотопроводимости электролюминесцирующих монокристаллов ZnS при возбуждении переменным полем
af: Джузеев У. Д.
Udgivet: (1967)

Особенности электро- и фотопроводимости марганцево-германиевых гранатов
Udgivet: (2002)

Особенности фотопроводимости хлопковых волокон с примесью йода при освещении собственной полосой поглощения
Udgivet: (2002)

Исследование поверхностного кислорода окиси хрома и его роли в каталитическом окислении окиси углерода методом меченых атомов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук спец. 02.00.04
af: Эвальд Г. Герман
Udgivet: (Новосибирск, [Б. и.], 1973)

Вольтамперная характеристика InGaTe₂
af: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
Udgivet: (2015)

Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
af: Шашурин В. Д.
Udgivet: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)

Т. 1, вып. 5: О токе насыщения при фотопроводимости рентгенированной каменной соли
af: Калабухов Н.
Udgivet: (1932)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP
af: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Udgivet: (2012)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами
af: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2013)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов
af: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Udgivet: (2016)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами
af: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2013)

Полупроводники пер. с англ.
af: Райт Д.
Udgivet: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1957)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
af: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2012)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
af: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Udgivet: (2012)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами
af: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Udgivet: (2012)

Деградация светодиодов на основе AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами
af: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Udgivet: (2011)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
af: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Udgivet: (2012)

Металлургия хрома
af: Плинер Ю.Л. Юрий Львович
Udgivet: (Москва, Металлургия, 1965)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
af: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Udgivet: (2014)