Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]

Bibliografiske detaljer
Parent link:Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411
Т. 46, № 4.— 2003.— с. 14-18
Andre forfattere: Курдиани Н. И., Метревели Н. К., Хавтаси Л. Г., Чиковани Н. Н.
Sprog:russisk
Udgivet: 2003
Serier:Физика полупроводников и диэлектриков
Fag:
Format: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419833

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 419833
005 20231101073319.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\77291 
035 |a RU\TPU\prd\15684 
090 |a 419833 
100 |a 20100227a2003 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]  |f Н. И. Курдиани, Н. К. Метревели, Л. Г. Хавтаси, Н. Н. Чиковани 
225 1 |a Физика полупроводников и диэлектриков 
320 |a Библиогр.: 6 назв. 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191  |x 0021-3411  |t Известия вузов. Физика  |f Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет  |d 1958- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\77289  |t Т. 46, № 4  |v с. 14-18  |d 2003 
610 1 |a фотопроводимость 
610 1 |a окись хрома 
610 1 |a полуизолирующий GaAs 
610 1 |a термообработка 
610 1 |a кристаллы 
610 1 |a облучение 
610 1 |a теория Де-Вора 
675 |a 621.315.592  |v 3 
701 1 |a Курдиани  |b Н. И. 
701 1 |a Метревели  |b Н. К. 
701 1 |a Хавтаси  |b Л. Г. 
701 1 |a Чиковани  |b Н. Н. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20030626  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20101028  |g RCR 
942 |c BK