Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4

Detalles Bibliográficos
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 46, № 4.— 2003.— с. 14-18
Outros autores:	Курдиани Н. И., Метревели Н. К., Хавтаси Л. Г., Чиковани Н. Н.
Idioma:	ruso
Publicado:	2003
Series:	Физика полупроводников и диэлектриков
Subjects:	фотопроводимость окись хрома полуизолирующий GaAs термообработка кристаллы облучение теория Де-Вора
Formato:	Capítulo de libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419833

Descripción
Descrición non dispoñible

Títulos similares