Исследование роста разрядного канала при тепловом пробое диэлектрика; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 1

Detaylı Bibliyografya
Parent link:Известия вузов. Физика.— , 1958-
Т. 46, № 1.— 2003.— С. 87-90
Diğer Yazarlar: Носков М. Д., Лопатин В. В. Владимир Васильевич, Чеглоков А. А., Шаповалов А. В. Александр Васильевич
Dil:Rusça
Baskı/Yayın Bilgisi: 2003
Seri Bilgileri:Физика полупроводников и диэлектриков
Konular:
Materyal Türü: MixedMaterials Kitap Bölümü
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419789

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 419789
005 20231101073317.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\77247 
035 |a RU\TPU\prd\14735 
090 |a 419789 
100 |a 20100226a2003 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Исследование роста разрядного канала при тепловом пробое диэлектрика  |f М. Д. Носков [и др.] 
225 1 |a Физика полупроводников и диэлектриков 
320 |a Библиогр.: 7 назв. 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191  |t Известия вузов. Физика  |d 1958- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\77232  |t Т. 46, № 1  |v С. 87-90  |d 2003 
610 1 |a разрядные каналы 
610 1 |a диэлектрики 
610 1 |a тепловой пробой 
610 1 |a исследование 
610 1 |a математическая модель 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
675 |a 621.3.048.027.3  |v 3 
701 1 |a Носков  |b М. Д. 
701 1 |a Лопатин  |b В. В.  |c электрофизик  |c доктор физико-математических наук, профессор Томского политехнического университета, заместитель директора по научной работе ИФВТ ТПУ  |f 1947-  |g Владимир Васильевич  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\20662 
701 1 |a Чеглоков  |b А. А. 
701 1 |a Шаповалов  |b А. В.  |c математик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1949-  |g Александр Васильевич  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\24404 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20030603  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20140205  |g RCR 
942 |c BK