Влияние собственного поля электронов и Г-Х-междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 1

書目詳細資料
Parent link:Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411
Т. 46, № 1.— 2003.— с. 79-86
主要作者: Караваев Г. Ф.
其他作者: Воронков А. А.
語言:俄语
出版: 2003
叢編:Физика полупроводников и диэлектриков
主題:
格式: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419788

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 419788
005 20231101073317.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\77246 
035 |a RU\TPU\prd\14734 
090 |a 419788 
100 |a 20100226a2003 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Влияние собственного поля электронов и Г-Х-междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах  |f Г. Ф. Караваев, А. А. Воронков 
225 1 |a Физика полупроводников и диэлектриков 
320 |a Библиогр.: 42 назв. 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191  |x 0021-3411  |t Известия вузов. Физика  |f Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет  |d 1958- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\77232  |t Т. 46, № 1  |v с. 79-86  |d 2003 
610 1 |a электроны 
610 1 |a резонансное туннелирование 
610 1 |a полупроводниковые гетероструктуры 
610 1 |a трехдолинные модели 
610 1 |a Г-Х-междолиное рассеивание 
675 |a 593.293.011  |v 3 
700 1 |a Караваев  |b Г. Ф. 
701 1 |a Воронков  |b А. А. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20030603  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20101028  |g RCR 
942 |c BK