Влияние собственного поля электронов и Г-Х-междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 1

類似資料

• Резонансное туннелирование электронов через виртуальные интерференционные состояния, формирующиеся вследствие отражения от границы сильнолегированной области CaAs; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 3
  著者:: Ханин Ю. Н.
  出版事項: (2004)
• Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 1
  著者:: Серов А. Ю.
  出版事項: (2004)
• Резонансное туннелирование через двумерную наноструктуру с присоединенными проводниками; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 4
  著者:: Гейлер В. А.
  出版事項: (2003)
• Резонансное туннелирование в сверхпроводящих переходах с различной симметрией параметра порядка; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 5
  著者:: Гончаров Д. В.
  出版事項: (2004)
• Резонансное туннелирование и нелинейный отклик в высокочастотном поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 2
  著者:: Елесин В. Ф.
  出版事項: (2003)