О механизме локализации электронных возбуждений в щелочно-галоидных кристаллах; Известия вузов. Физика; т. 29, № 1

О механизме локализации электронных возбуждений в щелочно-галоидных кристаллах; Известия вузов. Физика; т. 29, № 1

Détails bibliographiques
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство высшего и среднего специального образования СССР.— , 1957-.— 0021-3411 т. 29, № 1.— 1986.— с. 35-38
Auteur principal:	Бочканов П. В.
Autres auteurs:	Корепанов В. И.
Langue:	russe
Publié:	1986
Sujets:	электронные возбуждения механизм локализация щелочно-галоидные кристаллы труды учёных ТПУ
Format:	Chapitre de livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419549

Documents similaires

Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов
par: Алукер Э. Д. Эдуард Давыдович
Publié: (Рига, Зинатне, 1979)

Введение в радиационную физикохимию поверхности щелочно-галоидных кристаллов
Publié: (Рига, Зинатне, 1989)

Влияние плотности импульсного электронного пучка на накопление радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах; Физика твердого тела; Т. 29, № 3
Publié: (1987)

Диэлектрические потери в легированных щёлочно-галоидных кристаллах; Электротехника, электромеханика и электротехнологии
par: Пономарёв В. В.
Publié: (2002)

Примесные дефекты в щелочно-галоидных кристаллах
par: Кожогулов О. Ч.
Publié: (Фрунзе, Илим, 1984)

Спектры и динамика элементарных возбуждений в кристаллах
Publié: (Тарту, 1981)

Медленные волновые процессы при сжатии образцов горных пород и щелочно-галоидных кристаллов; Вестник Пермского национального исследовательского политехнического университета. Механика; № 2
Publié: (2012)

Ионная проводимость щёлочно-галоидных кристаллов; Электротехника, электромеханика и электротехнологии
par: Асовский П. В.
Publié: (2002)

Исследование скорости распространения разряда в кристаллах щелочно-галоидных солей; Известия вузов. Энергетика; № 7
par: Барченко Т. Н.
Publié: (1959)

Быстропротекающие радиационно-стимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах
Publié: (Рига, Зинатне, 1987)

Исследование радиационного дефектообразования в катионной подрешетке щелочно-галоидных кристаллов: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
par: Галанов Ю. И. Юрий Иванович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1976)

Экситоны и зоны щелочно-галоидных кристаллов: [монография]
par: Соболев В. В. Валентин Викторович
Publié: (Кишинев, Штиинца, 1984)

Эффект радиационной «памяти» в щелочно-галоидных кристаллах; Известия вузов. Физика; Т. 59, № 9
par: Коровкин М. В. Михаил Владимирович
Publié: (2016)

Гл. 4 ; параграфы 18-35; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Publié: (1967)

Природа высокотемпературной радиационно-ускоренной диффузии в щелочно-галоидных кристаллах; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 309, № 3
par: Анненков Ю. М. Юрий Михайлович
Publié: (2006)

Гл.1, гл. 2; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Publié: (1967)

Гл. 5, гл. 6; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Publié: (1965)

Формирование и свойства центров люминесценции в щелочно-галоидных кристаллах
par: Кочубей В.
Publié: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2006)

Гл. 4 ; параграфы 1-17; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Publié: (1967)

Радиационная генерация катионных вакансий в щелочно-галоидных кристаллах; Известия вузов. Физика; № 3
Publié: (1975)

Кн. 2. Гл. 4; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Publié: (1967)

Коэффициенты пуассона щелочно-галоидных кристаллов; Инновационные технологии и экономика в машиностроении
par: Беломестных В. Н. Владимир Николаевич
Publié: (2013)

Механические и тепловые свойства щелочно-галоидных кристаллов; Гл. 4, 5
par: Воробьев А. А. Александр Акимович
Publié: (Томск, 1966)

Распределение энергии импульсных электронных пучков в щелочно-галоидных кристаллах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07.
par: Куликов В. Д. Виктор Дмитриевич
Publié: (Томск, [Б. и.], 1983)

Ориентационная зависимость ангармонизма в щёлочно-галоидных кристаллах. 2. Галогениды натрия; Инновационные технологии и экономика в машиностроении
par: Теслева Е. П. Елена Павловна
Publié: (2009)

Эволюция радиационных френкелевских пар дефектов в щелочно-галоидных кристаллах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 02.00.04
par: Бочканов П. В. Петр Васильевич
Publié: (Томск, 1985)

Исследование электрических свойств щелочно-галоидных кристаллов и их радиационного изменения: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
par: Анненков Ю. М.
Publié: (Томск, 1968)

Кн. 2, гл. 3; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Publié: (1967)

Спектроскопия кислородных и водородных примесных центров в щелочно-галоидных кристаллах
par: Егранов А. В. Александр Васильевич
Publié: (Новосибирск, Наука, 1992)

Физика электропластичности щелочно-галоидных кристаллов
par: Зуев Л. Б. Лев Борисович
Publié: (Новосибирск, Наука, 1990)

Гл. 1, гл. 2; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Publié: (1967)

Электролюминесценция щелочно-галоидных кристаллов при температуре выше комнатной; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 2
Publié: (2004)

Исследование электронных центров захвата в аддитивно окрашенных щелочно-галоидных кристаллах, легированных двухвалентными примесями: отдельный оттиск
par: Анненков Ю. М. Юрий Михайлович
Publié: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1969)

Диэлектрические потери в щелочно-галоидных кристаллах до и после воздействия протонным излучением: научный отчет
par: Анненков Ю. М. Юрий Михайлович
Publié: (Томск, 1964)

Упруго-пластический инвариант деформации щелочно-галоидных кристаллов; Перспективы развития фундаментальных наук
par: Надежкин М. В. Михаил Владимирович
Publié: (2014)

Методика прессования щелочно-галоидных солей NaCl, KCl, KBr: Научно-технический отчет
par: Кащук С. Л.
Publié: (Томск, 1972)

Формирование и свойства центров люминесценции в щелочно-галоидных кристаллах
par: Кочубей В. И. Вячеслав Иванович
Publié: (Москва, Физматлит, 2006)

Автоэлектронная эмиссия с поверхности щелочно-галоидных кристаллов в процессе возбуждения импульсным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6/2
Publié: (2012)

Физические основы радиационной технологии твердых тел с ионными связями; Электронные и ионные процессы в решетках щелочно-галоидных кристаллов (авторский экз.); Кн. 1: Гл. 3
par: Воробьев А. А. Александр Акимович
Publié: (Томск, 1966)

Исследование делокализованных и локаклизованных состояний позитронов и позитрония в щелочногаллоидных кристаллах и полупроводниках: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07.
par: Кузнецов П. В. Павел Викторович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1982)