Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; 01.04.10

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; 01.04.10

Бібліографічні деталі
Автор:	Криворотов Н. П. Николай Павлович
Співавтор:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Інші автори:	Караваев Г. Ф. (научный руководитель)
Мова:	Російська
Опубліковано:	Томск, 2002
Предмети:	электроника полупроводниковые приборы галлия арсенид отказы надежность тензоэлектрические свойства туннельные переходы излучающие диоды туннельная спектроскопия СВЧ-диоды тензопреобразователи давление диссертации
Формат:	Книга
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=41094

Схожі ресурси

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук:; Спец. 01.04.10
за авторством: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2002)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
за авторством: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2002)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
за авторством: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Опубліковано: (Томск, 2003)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
за авторством: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2003)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
за авторством: Карлова Г. Ф.
Опубліковано: (2003)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия
за авторством: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Опубліковано: (Томск, Изд-во ТПУ, 2005)

Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
Опубліковано: (Москва, Советское радио, 1972)

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук
за авторством: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Опубліковано: (Томск, 2001)

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук
за авторством: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2001)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Опубліковано: (2014)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
за авторством: Сытенко Т. Н.
Опубліковано: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Опубліковано: (Ташкент, Фан, 1986)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
за авторством: Пешев В. В.
Опубліковано: (2002)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
за авторством: Толбанов О. П.
Опубліковано: (2003)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
за авторством: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Опубліковано: (2018)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Автореферат диссертации доктора физико-математических наук
за авторством: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2000)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
за авторством: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Опубліковано: (Томск, 2000)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
за авторством: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Опубліковано: (Москва, Энергия, 1974)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Опубліковано: (2009)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
за авторством: Каплан Б. Я.
Опубліковано: (Москва, [Б. и.], 1969)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Опубліковано: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Опубліковано: (2011)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
за авторством: Ардышев М. В.
Опубліковано: (2002)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
за авторством: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубліковано: (2012)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
за авторством: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубліковано: (2013)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
за авторством: Ардышев М. В.
Опубліковано: (2004)

Релаксация наведённого тока в приборах на основе арсенида галлия после воздействия гамма-импульса; Физика твердого тела
за авторством: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Опубліковано: (2002)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
за авторством: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубліковано: (2014)

Физика полупроводниковых приборов: пер. с англ.
за авторством: Зи С. М.
Опубліковано: (Москва, Энергия, 1973)

Электронные измерения и измерение параметров полупроводниковых приборов: учебник
за авторством: Криштафович А. К. Алексей Константинович
Опубліковано: (Москва, Высшая школа, 1969)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
за авторством: Стебенева В. И.
Опубліковано: (2018)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Опубліковано: (2013)

Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия; Вестник науки Сибири; № 3 (4)
за авторством: Клименов В. А. Василий Александрович
Опубліковано: (2012)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
за авторством: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2004)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
за авторством: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Опубліковано: (2002)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
за авторством: Пешев В. В. Владимир Викторович
Опубліковано: (Томск, 1999)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
за авторством: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2004)

Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
за авторством: Пономарев И. В. Иван Викторович
Опубліковано: (Томск, 2011)

Cправочник по зарубежным диодам; Ч. 2
Опубліковано: (Москва, Солон-Р, 2000)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
за авторством: Толбанов О. П. Олег Петрович
Опубліковано: (Томск, 1999)