|
|
|
|
| LEADER |
00000naa2a2200000 4500 |
| 001 |
395772 |
| 005 |
20231101064705.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\prd\33364
|
| 090 |
|
|
|a 395772
|
| 100 |
|
|
|a 20050301a2004 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Влияние слоистых периодических неоднородностей на пьезосопротивление γ-облученных монокристаллов n-Si и n-Ge
|f А. В. Федосов, Л. В. Ящинский, С. А. Федосов и др.
|
| 225 |
1 |
|
|a Методы исследования диэлектрических и полупроводниковых изделий
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: 10 назв.
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\1139
|t Наукоемкие технологии
|o научно-технический журнал
|d 2001-
|
| 463 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\27450
|t № 6
|v С. 27-31
|d 2004
|
| 610 |
1 |
|
|a пьезосопротивление
|
| 610 |
1 |
|
|a монокристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a облучение
|
| 610 |
1 |
|
|a удельное сопротивление
|
| 610 |
1 |
|
|a носители заряда
|
| 610 |
1 |
|
|a подвижность
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a фотоионизация
|
| 610 |
1 |
|
|a проводимость
|
| 675 |
|
|
|a 537.311.322
|v 3
|
| 701 |
|
1 |
|a Федосов
|b А. В.
|
| 701 |
|
1 |
|a Ящинский
|b Л. В.
|
| 701 |
|
1 |
|a Федосов
|b С. А.
|
| 701 |
|
1 |
|a Захарчук
|b Д. А.
|
| 701 |
|
1 |
|a Хвищун
|b Н. В.
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20050301
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
