Технология получения галлия высокой чистоты из отходов полупроводникового производства; Наукоемкие технологии; № 2

ग्रंथसूची विवरण
Parent link:Наукоемкие технологии: научно-технический журнал.— , 2001-
№ 2.— 2003.— С. 88-94
अन्य लेखक: Козлов С. А., Сажин М. В., Петрухин И. О., Сидоров О. Л., Аганичев М. П., Потолоков Н. А.
भाषा:रूसी
प्रकाशित: 2003
श्रृंखला:Технологии экологически чистого изготовления элементов катодов
विषय:
स्वरूप: MixedMaterials पुस्तक अध्याय
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=385427

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 385427
005 20231101063352.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\13302 
090 |a 385427 
100 |a 20030505a2003 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Технология получения галлия высокой чистоты из отходов полупроводникового производства  |f С. А. Козлов, М. В. Сажин, И. О. Петрухин и др. 
225 1 |a Технологии экологически чистого изготовления элементов катодов 
320 |a 10Библиогр.: назв. 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\1139  |t Наукоемкие технологии  |o  научно-технический журнал  |d 2001- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\13055  |t № 2  |v С. 88-94  |d 2003 
610 1 |a галлий 
610 1 |a получение 
610 1 |a отходы 
610 1 |a полупроводниковое производство 
610 1 |a исследование 
610 1 |a результаты 
610 1 |a переработка 
610 1 |a монокристаллы 
610 1 |a светодиодные структуры 
675 |a 621.382  |v 3 
675 |a 669.871  |v 3 
701 1 |a Козлов  |b С. А. 
701 1 |a Сажин  |b М. В. 
701 1 |a Петрухин  |b И. О. 
701 1 |a Сидоров  |b О. Л. 
701 1 |a Аганичев  |b М. П. 
701 1 |a Потолоков  |b Н. А. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20030505  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20060728  |g PSBO 
942 |c BK