Козлов С. А., Сажин М. В., Петрухин И. О., Сидоров О. Л., Аганичев М. П., & Потолоков Н. А. (2003). Технология получения галлия высокой чистоты из отходов полупроводникового производства; Наукоемкие технологии; № 2. 2003.
Цитирование в стиле Чикаго (17-е изд.)Козлов С. А., Сажин М. В., Петрухин И. О., Сидоров О. Л., Аганичев М. П., и Потолоков Н. А. Технология получения галлия высокой чистоты из отходов полупроводникового производства; Наукоемкие технологии; № 2. 2003, 2003.
Цитирование MLA (9-е изд.)Козлов С. А., et al. Технология получения галлия высокой чистоты из отходов полупроводникового производства; Наукоемкие технологии; № 2. 2003, 2003.
Предупреждение: эти цитированмия не могут быть всегда правильны на 100%.