Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные диоды с барьером Шоттки; Радиомир; № 2

Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные диоды с барьером Шоттки; Радиомир; № 2

Detalles Bibliográficos
Parent link:	Радиомир: научно-популярный журнал.— , 2001- № 2.— 2002.— С. 45
Autor Principal:	Киселёв В.
Idioma:	ruso
Publicado:	2002
Series:	Справочный материал
Subjects:	диоды барьер Шоттки
Formato:	Capítulo de libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=382759

Títulos similares

Набор мощных кремниемых диодов с барьером Шотки; Радиомир; № 1
por: Киселёв В.
Publicado: (2002)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Автореферат диссертации доктора физико-математических наук
por: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2000)

Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Физика, технология, применение
por: Стриха В. И. Виталий Илларионович
Publicado: (Москва, Советское радио, 1974)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Publicado: (Томск, 2000)

Т. 4; Зарубежные диоды и их аналоги
Publicado: (2000)

Барьеры Шоттки, собственные окислы и МОП структуры на фосфиде индия
por: Коротченков Г. С. Геннадий Сергеевич
Publicado: (Кишинев, Штиинца, 1984)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
por: Дорохин М. В.
Publicado: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)

Т. 4, дополнительный; Диоды и их зарубежные аналоги
Publicado: (2011)

Барьеры в полупроводниковых структурах практикум
por: Демидов Е. С.
Publicado: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2016)

Новые материалы электронной техники: сборник научных трудов
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1990)

Мощные полупроводниковые приборы. Диоды: справочник
Publicado: (Москва, Радио и связь, 1985)

Полупроводниковые кремниевые диоды и триоды, технология производства
Publicado: (Москва, Энергия, 1964)

Кремниевые планарные транзисторы
Publicado: (Москва, Советское радио, 1973)

Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек; Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 75, вып. 1-2
Publicado: (2002)

Образование центров Е10 (Ес-0,62 эВ) в фосфиде индия при гамма- и электронном облучениях; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Пешев В. В.
Publicado: (2002)

Электроника и схемотехника. Полупроводниковые диоды учебное пособие
por: Никитин Ю. А.
Publicado: (Санкт-Петербург, СПбГУТ им. М.А. Бонч-Бруевича, 2022)

Тонкие пленки и многослойные материалы для электроники: учебное пособие
por: Панин А. В. Алексей Викторович
Publicado: (Томск, Изд-во ТПУ, 2002)

Main principles of developing exploitation models of semiconductor devices; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2018)

Полупроводниковые приборы СВЧ: пер. с англ.
Publicado: (Москва, Мир, 1972)

Актуальные проблемы электронного приборостроения и машиностроения: Сборник научных статей
Publicado: (Саратов, Изд-во Саратовского ГТУ, 2002)

Физика полупроводниковых приборов
por: Лебедев А. И. Александр Иванович
Publicado: (Москва, Физматлит, 2008)

Стабильный датчик температуры на основе структур с барьером Шотки на GaAs; Приборы и техника эксперимента; № 3
por: Филонов Н. Г.
Publicado: (2002)

Инфракрасная камера на основе барьеров Шоттки для дневных наблюдений звёзд; Приборы и техника эксперимента; № 2
por: Гришин Е. А.
Publicado: (2003)

Особенности введения радиационных дефектов в области барьера Шоттки фосфида индия; Современные проблемы науки и образования; № 3
por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado: (2006)

Продукция фирмы International Rectifier
Publicado: (Москва, ДМК Пресс, 2010)

Полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды
por: Гусятинер М. С. Марк Соломонович
Publicado: (Москва, Радио и связь, 1983)

Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем: Полевые транзисторы лабораторный практикум
por: Кольцов Г. И.
Publicado: (Москва, МИСИС, 2001)

Полупроводниковые умножительные диоды
por: Пильдон В. И. Владимир Иосифович
Publicado: (Москва, Радио и связь, 1981)

Т. 1 : Общие вопросы теории. Туннельные и транзисторные усилители и детекторы СВЧ; Полупроводниковые входные устройства СВЧ
Publicado: (1975)

Полупроводниковые приборы. Диоды высокочастотные. Диоды импульсные. Оптоэлектронные приборы: справочник
Publicado: (Москва, КУбК-а, 1997)

Полупроводниковые приборы. Диоды высокочастотные. Диоды импульсные. Оптоэлектронные приборы: Справочник
Publicado: (Москва, КУбК-а, 1996)

Полупроводниковые приборы; Сверхвысокочастотные диоды: Справочник
Publicado: (Томск, Раско, 1992)

Автокатализ термического разложения азида свинца дефектами Шоттки при малых степенях разложения; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Ханефт А. В. Александр Вилливич
Publicado: (2011)

Полупроводниковые диоды и схемы с диодами: справочное пособие
por: Ровдо А. А. Алексей Александрович
Publicado: (Москва, Лайт Лтд, 2000)

Полупроводниковые приборы. Диоды высокочастотные, диоды импульсные, оптоэлектронные приборы: справочник
Publicado: (Москва, Радио и связь, 1988)

Полупроводниковые приборы. Диоды высокочастотные, диоды импульсные, оптоэлектронные приборы: справочник
Publicado: (Москва, Радио и связь, 1989)

Пзисторы на основе поликристаллического титаната бария. Физико-химические аспекты и применение
por: Солодуха А. М.
Publicado: (Воронеж, ВГУ, 2016)

Применение контакта металл-полупроводник в электронике
por: Валиев К. А. Камиль Ахметович
Publicado: (Москва, Радио и связь, 1981)

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук
por: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Publicado: (Томск, 2001)

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук
por: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2001)