Набор мощных кремниемых диодов с барьером Шотки; Радиомир; № 1
| Parent link: | Радиомир: научно-популярный журнал.— , 2001- № 1.— 2002.— С. 45 |
|---|---|
| Main Author: | Киселёв В. |
| Language: | Russian |
| Published: |
2002
|
| Series: | Справочный материал |
| Subjects: | |
| Format: | Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=381220 |
Similar Items
Стабильный датчик температуры на основе структур с барьером Шотки на GaAs; Приборы и техника эксперимента; № 3
by: Филонов Н. Г.
Published: (2002)
by: Филонов Н. Г.
Published: (2002)
Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные диоды с барьером Шоттки; Радиомир; № 2
by: Киселёв В.
Published: (2002)
by: Киселёв В.
Published: (2002)
Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
by: Пешев В. В.
Published: (2004)
by: Пешев В. В.
Published: (2004)
Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции; Известия вузов. Физика; № 2
by: Гаман В. И.
Published: (1967)
by: Гаман В. И.
Published: (1967)
Влияние давления на параметры полупроводниковых диодов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 049
by: Агафонников В. Ф.
Published: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1968)
by: Агафонников В. Ф.
Published: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1968)
О возможности создания диода со сверхрезким запирающих свойств на основе карбида кремния; Письма в Журнал технической физики; Т. 28, вып. 13
Published: (2002)
Published: (2002)
Проектирование радиопередающих устройств: учебное пособие для вузов
Published: (Москва, Радио и связь, 1993)
Published: (Москва, Радио и связь, 1993)
Влияние режима вплавления на физические параметры базы плоскостного кремневого диода; Известия вузов. Физика; № 4
by: Кулиш У. М.
Published: (1966)
by: Кулиш У. М.
Published: (1966)
Влияние скорости поверхностной рекомбинации на переходные процессы в кремниевых диодах; Известия вузов. Физика; № 2
by: Гаман В. И.
Published: (1967)
by: Гаман В. И.
Published: (1967)
Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Автореферат диссертации доктора физико-математических наук
by: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Published: (Томск, [Б. и.], 2000)
by: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Published: (Томск, [Б. и.], 2000)
Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Published: (Томск, 2000)
by: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Published: (Томск, 2000)
Временная зависимость емкости кремниевого туннельного МОП-диода при воздействии водорода; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
by: Гаман В. И.
Published: (2003)
by: Гаман В. И.
Published: (2003)
Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодов
Published: (Киев, Наукова думка, 1986)
Published: (Киев, Наукова думка, 1986)
Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Физика, технология, применение
by: Стриха В. И. Виталий Илларионович
Published: (Москва, Советское радио, 1974)
by: Стриха В. И. Виталий Илларионович
Published: (Москва, Советское радио, 1974)
Расширение интервала рабочих температур полупроводниковых приборов: сборник научных статей
Published: (Киев, Вища школа, 1975)
Published: (Киев, Вища школа, 1975)
Т. 4 : Силовые полупроводниковые приборы; Силовая преобразовательная техника
Published: (1986)
Published: (1986)
Исследование характеристик и электрических полей разрядных промежутков с движущимся барьером: Отчет; Тема г/б 9.81
Published: (Томск, 1999)
Published: (Томск, 1999)
Применение туннельных диодов в импульсной технике
by: Воскресенский В. В. Владимир Владимирович
Published: (Москва, Связь, 1974)
by: Воскресенский В. В. Владимир Владимирович
Published: (Москва, Связь, 1974)
Основы электроники и радиотехники: учебное пособие для техникумов
by: Дробащенко И. Т. Иван Тихонович
Published: (Москва, Изд-во литературы по горному делу, 1961)
by: Дробащенко И. Т. Иван Тихонович
Published: (Москва, Изд-во литературы по горному делу, 1961)
Контроль параметров аналоговых микросхем, силовых диодов и транзисторов
by: Дракин А. Ю.
Published: (Санкт-Петербург, Лань, 2021)
by: Дракин А. Ю.
Published: (Санкт-Петербург, Лань, 2021)
Исследование ионного диода с Br - магнитным полем: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.20
by: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Published: (Томск, [Б. и.], 2015)
by: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Published: (Томск, [Б. и.], 2015)
Физика полупроводниковых приборов
by: Лебедев А. И. Александр Иванович
Published: (Москва, Физматлит, 2008)
by: Лебедев А. И. Александр Иванович
Published: (Москва, Физматлит, 2008)
Надежность светоизлучающих диодов; Современное состояние и проблемы естественных наук
by: Симонова А. В.
Published: (2015)
by: Симонова А. В.
Published: (2015)
Дополнительные возможности использования порометаллов для охлаждения линеек лазерных диодов; Письма в Журнал технической физики; Т. 28, вып. 14
by: Аполлонов В. В.
Published: (2002)
by: Аполлонов В. В.
Published: (2002)
Исследование ионного диода с Br - магнитным полем: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.20
by: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Published: (Томск, 2015)
by: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Published: (Томск, 2015)
Аналоги отечественных и зарубежных диодов и тиристоров: справочник
by: Черепанов В. П. Вадим Павлович
Published: (Москва, КУбК-а, 1997)
by: Черепанов В. П. Вадим Павлович
Published: (Москва, КУбК-а, 1997)
Измерение и идентификация параметров SPICE-моделей полупроводниковых диодов; Измерительная техника; № 5
by: Петров В. Н.
Published: (2002)
by: Петров В. Н.
Published: (2002)
Исследование ионного диода с Br - магнитным полем: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.20
by: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Published: (Томск, 2015)
by: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Published: (Томск, 2015)
Технология серийного производства транзисторов и полупроводниковых диодов: пер. с чеш.
by: Коутный Й.
Published: (Москва, Энергия, 1968)
by: Коутный Й.
Published: (Москва, Энергия, 1968)
Связь параметров и структурного совершенства кремниевых pin-фотоприемников; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 12
by: Кулинич О. А.
Published: (2004)
by: Кулинич О. А.
Published: (2004)
Ламарк был прав; Химия и жизнь - XXI век; № 4
by: Животовский Л. А.
Published: (2003)
by: Животовский Л. А.
Published: (2003)
Системы постоянного тока с кремниевыми выпрямителями; Электроприводы с полупроводниковым управлением
by: Андреев Г. И. Геннадий Ильич
Published: (Москва, Энергия, 1967)
by: Андреев Г. И. Геннадий Ильич
Published: (Москва, Энергия, 1967)
Полупроводниковые приборы
by: Пасынков В. В.
Published: (Санкт-Петербург, Лань, 2022)
by: Пасынков В. В.
Published: (Санкт-Петербург, Лань, 2022)
Уникальные возможности применения белых светоизлучающих диодов в дизайне; Современные техника и технологии; Т. 3
by: Чичёв А. А.
Published: (2012)
by: Чичёв А. А.
Published: (2012)
Полупроводниковые управляемые вентили: сборник статей; пер. с англ.
Published: (Москва, Госэнергоиздат, 1962)
Published: (Москва, Госэнергоиздат, 1962)
Модернизированный ИК-барьер на микроконтроллере AT90S2313 фирмы Atmel; Схемотехника; № 7
by: Потапчук М.
Published: (2004)
by: Потапчук М.
Published: (2004)
Агаты и кремневая жизнь: исследование
by: Фомин Б. Н. Борис Николаевич
Published: (Хабаровск, РИОТИП, 2004)
by: Фомин Б. Н. Борис Николаевич
Published: (Хабаровск, РИОТИП, 2004)
Ч. 2; Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем
Published: (1988)
Published: (1988)
Эффективная генерация с.в.ч.-колебаний на гармониках проводимости диодов Ганна; Приборы и техника эксперимента; № 6
by: Алексеев Ю. И.
Published: (2004)
by: Алексеев Ю. И.
Published: (2004)
Применение туннельных диодов для коррекции импульсных полупроводниковых усилителей: Реферативный обзор; Тема : г/б.
Published: (Томск, 1963)
Published: (Томск, 1963)
Similar Items
-
Стабильный датчик температуры на основе структур с барьером Шотки на GaAs; Приборы и техника эксперимента; № 3
by: Филонов Н. Г.
Published: (2002) -
Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные диоды с барьером Шоттки; Радиомир; № 2
by: Киселёв В.
Published: (2002) -
Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
by: Пешев В. В.
Published: (2004) -
Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции; Известия вузов. Физика; № 2
by: Гаман В. И.
Published: (1967) -
Влияние давления на параметры полупроводниковых диодов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 049
by: Агафонников В. Ф.
Published: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1968)