Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Körperschaft:	Национальный исследовательский Томский государственный университет (570)
Weitere Verfasser:	Толбанов О. П. Олег Петрович (научный руководитель)
Zusammenfassung:	Защита сост. 19.10.2023 г. На правах рукописи
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Томск, 2023
Schlagworte:	Галлий, арсенид Полупроводники > Поверхностные свойства > Влияние облучения физика полупроводниковые сенсоры рентгеновское излучение HR-GaAs детекторные структуры неравновесные электроны спектры фотопроводимость авторефераты диссертаций труды учёных ТПУ
Format:	Buch
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=379500

Ähnliche Einträge

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
von: Спирина А. А. Анна Александровна
Veröffentlicht: (Новосибирск, 2023)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
Veröffentlicht: (2003)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Veröffentlicht: (2007)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide; Journal of X-Ray Science and Technology; Vol. 25, iss. 4
von: Ayzenshtat G. I.
Veröffentlicht: (2017)

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1; Ядерно-физические технологии в клинической и экспериментальной медицине: состояние, проблемы, перспективы
von: Синягина М. А.
Veröffentlicht: (2013)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2010)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
von: Нишизава Дж.-И.
Veröffentlicht: (2003)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 139, iss. 1-4
Veröffentlicht: (1998)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2012)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
von: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Veröffentlicht: (2016)

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2011)

Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
von: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Veröffentlicht: (Новосибирск, 2025)

Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб; Измерительная техника; № 8
Veröffentlicht: (2003)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
von: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Veröffentlicht: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика
Veröffentlicht: (2010)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
von: Сараева В. Е.
Veröffentlicht: (1989)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
von: Long Stephen I
Veröffentlicht: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2012)

Changing the Shape of Watt-Ampere Characteristic of LEDs Based upon GaP ([lambda]=590 nm) Irradiated by Gamma-Quanta; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
von: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Veröffentlicht: (2019)

Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и El2: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
von: Верхолетов М. Г. Максим Георгиевич
Veröffentlicht: (Томск, 2023)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
von: Ардышев М. В.
Veröffentlicht: (2002)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2013)

Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Veröffentlicht: (2011)

HR-метрики учебное пособие
von: Масалова Ю. А.
Veröffentlicht: (Новосибирск, НГТУ, 2025)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
von: Пешев В. В.
Veröffentlicht: (2002)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Veröffentlicht: (Ташкент, Фан, 1986)

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение
Veröffentlicht: (Москва, Наука, 1973)

Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
Veröffentlicht: (Москва, Советское радио, 1972)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Veröffentlicht: (2013)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
von: Сытенко Т. Н.
Veröffentlicht: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
von: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2002)

Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
von: Пономарев И. В. Иван Викторович
Veröffentlicht: (Томск, 2011)

Кристалло - структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия; Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов: Межвузовская научно - техническая программа ПРИРОДОКОМПЛЕКС; Промежуточный отчет о НИР; Тема : г/б 01.02.03.2
Veröffentlicht: (Томск, 1988)

Современные приборы на основе арсенида галлия: пер. с англ.
von: Шур М. С. Михаил Саулович
Veröffentlicht: (Москва, Мир, 1991)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
von: Костылев С. А. Сергей Александрович
Veröffentlicht: (Киев, Наукова думка, 1990)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
von: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Veröffentlicht: (Новосибирск, 2025)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07
von: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Veröffentlicht: (Томск, 1985)

Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
von: Прудаев И. А. Илья Анатольевич
Veröffentlicht: (Томск, 2009)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Veröffentlicht: (2016)

Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
von: Шашурин В. Д.
Veröffentlicht: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)