Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Dades bibliogràfiques
Autor principal:	Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Autor corporatiu:	Национальный исследовательский Томский государственный университет (570)
Altres autors:	Толбанов О. П. Олег Петрович (научный руководитель)
Sumari:	Защита сост. 19.10.2023 г. На правах рукописи
Idioma:	rus
Publicat:	Томск, 2023
Matèries:	Галлий, арсенид Полупроводники > Поверхностные свойства > Влияние облучения физика полупроводниковые сенсоры рентгеновское излучение HR-GaAs детекторные структуры неравновесные электроны спектры фотопроводимость авторефераты диссертаций труды учёных ТПУ
Format:	Llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=379500

Ítems similars