Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Бібліографічні деталі
Автор: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Співавтор: Национальный исследовательский Томский государственный университет (570)
Інші автори: Толбанов О. П. Олег Петрович (научный руководитель)
Резюме:Защита сост. 19.10.2023 г.
На правах рукописи
Мова:Російська
Опубліковано: Томск, 2023
Предмети:
Формат: Книга
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=379500

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 379500
005 20250225063230.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\retro\36967 
090 |a 379500 
100 |a 20231011d2023 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a dm 001yy 
181 0 |a i   |b  e  
182 0 |a n 
183 0 |a nc  |2 RDAcarrier 
200 1 |a Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения  |e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  |e спец. 1.3.11  |f И. Д. Щербаков  |g Национальный исследовательский Томский государственный университет; науч. руководитель О. П. Толбанов 
203 |a Текст  |b визуальный  |c непосредственный 
210 1 |a Томск  |d 2023 
215 |a 24 с.  |c ил. 
283 |a volume  |2 RDAcarrier 
300 |a Защита сост. 19.10.2023 г. 
320 |a Список использованной литературы: с. 21-22 (20 назв.) 
320 |a Список работ по теме диссертации: с. 22-24 (13 назв.) 
333 |a На правах рукописи 
606 1 |a Галлий, арсенид  |9 33533 
606 1 |a Полупроводники  |x Поверхностные свойства  |x Влияние облучения  |9 69234 
610 1 |a физика 
610 1 |a полупроводниковые сенсоры 
610 1 |a рентгеновское излучение 
610 1 |a HR-GaAs 
610 1 |a детекторные структуры 
610 1 |a неравновесные электроны 
610 1 |a спектры 
610 1 |a фотопроводимость 
610 1 |a авторефераты диссертаций 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
675 |a 537.311.322:546(04)  |v 4  |z rus 
675 |a 537.311.322:541(04)  |v 4  |z rus 
686 |2 oksvnk  |a 01.04.10 
700 1 |a Щербаков  |b И. Д.  |c специалист в области электроники  |c инженер Томского политехнического университета  |f 1995-  |g Иван Дмитриевич  |9 21593 
702 1 |4 727  |a Толбанов  |b О. П.  |g Олег Петрович 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский государственный университет  |c 2009-  |4 570  |9 26574 
801 0 |a RU  |b 63413507  |c 20231011 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20231011  |g RCR 
942 |c BK