Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Tác giả của công ty: Национальный исследовательский Томский государственный университет (570)
Tác giả khác: Толбанов О. П. Олег Петрович (научный руководитель)
Tóm tắt:Защита сост. 19.10.2023 г.
На правах рукописи
Ngôn ngữ:Tiếng Nga
Được phát hành: Томск, 2023
Những chủ đề:
Галлий, арсенид
Полупроводники > Поверхностные свойства > Влияние облучения
физика
полупроводниковые сенсоры
рентгеновское излучение
HR-GaAs
детекторные структуры
неравновесные электроны
спектры
фотопроводимость
авторефераты диссертаций
труды учёных ТПУ
Định dạng: Sách
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=379500
Miêu tả
Mô tả vật lý:24 с. ил.
Tóm tắt:Защита сост. 19.10.2023 г.
На правах рукописи

Những quyển sách tương tự