Определение стехиометрии покрытий AlN радиоактивацией сгустками коллективно ускоренных дейтронов; Письма в Журнал технической физики; Т. 49, № 13
| Parent link: | Письма в Журнал технической физики Т. 49, № 13.— 2023.— [С. 39-42] |
|---|---|
| Päätekijä: | |
| Muut tekijät: | |
| Yhteenveto: | Заглавие с экрана Показано использование сгустков дейтронов (числом до 1013 за выстрел), коллективно ускоренных в диоде Люса до средней энергии 1200 ± 200 keV, для радиоактивационного определения стехиометрии покрытий AlN с известной толщиной. В каждом выстреле энергия дейтронов определялась измерением скорости дрейфа виртуального катода, коллективно ускоряющего сгустки дейтронов, а стехиометрия покрытия определялась с точностью не хуже ±5% по соотношению активностей радионуклидов 28Al/15O, индуцированных в ядерных реакциях 27Al(d, p) 28Al и 14N(d, n) 15O соответственно. |
| Kieli: | venäjä |
| Julkaistu: |
2023
|
| Aiheet: | |
| Linkit: | http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2023.13.55736.19515 |
| Aineistotyyppi: | Elektroninen Kirjan osa |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=379349 |