Определение стехиометрии покрытий AlN радиоактивацией сгустками коллективно ускоренных дейтронов

Xehetasun bibliografikoak
Parent link:Письма в Журнал технической физики
Т. 49, № 13.— 2023.— [С. 39-42]
Egile nagusia: Рыжков В. А. Владислав Андреевич
Beste egile batzuk: Журавлёв (Журавлев) М. В. Михаил Валерьевич
Gaia:Заглавие с экрана
Показано использование сгустков дейтронов (числом до 1013 за выстрел), коллективно ускоренных в диоде Люса до средней энергии 1200 ± 200 keV, для радиоактивационного определения стехиометрии покрытий AlN с известной толщиной. В каждом выстреле энергия дейтронов определялась измерением скорости дрейфа виртуального катода, коллективно ускоряющего сгустки дейтронов, а стехиометрия покрытия определялась с точностью не хуже ±5% по соотношению активностей радионуклидов 28Al/15O, индуцированных в ядерных реакциях 27Al(d, p) 28Al и 14N(d, n) 15O соответственно.
Hizkuntza:errusiera
Argitaratua: 2023
Gaiak:
Sarrera elektronikoa:http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2023.13.55736.19515
Formatua: Baliabide elektronikoa Liburu kapitulua
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=379349
Deskribapena
Gaia:Заглавие с экрана
Показано использование сгустков дейтронов (числом до 1013 за выстрел), коллективно ускоренных в диоде Люса до средней энергии 1200 ± 200 keV, для радиоактивационного определения стехиометрии покрытий AlN с известной толщиной. В каждом выстреле энергия дейтронов определялась измерением скорости дрейфа виртуального катода, коллективно ускоряющего сгустки дейтронов, а стехиометрия покрытия определялась с точностью не хуже ±5% по соотношению активностей радионуклидов 28Al/15O, индуцированных в ядерных реакциях 27Al(d, p) 28Al и 14N(d, n) 15O соответственно.
DOI:10.21883/PJTF.2023.13.55736.19515