Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11

Bibliographic Details
Main Author:	Спирина А. А. Анна Александровна
Corporate Author:	Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников
Other Authors:	Шварц Н. Л. Наталия Львовна (727)
Summary:	Защита сост. 20.06.2023 г.
Language:	Russian
Published:	Новосибирск, 2023
Subjects:	Галлий, арсенид физика нанопроволоки проводники GaAs планарные структуры ленгмюровское испарение галлий пленки пар-жидкость модели Ли подложки отжиг кристаллы метод Монте-Карло арсенид галлия авторефераты диссертаций
Format:	Book
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=378413

Similar Items

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
by: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Published: (Томск, 2023)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка
Published: (2007)

Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
by: Прудаев И. А. Илья Анатольевич
Published: (Томск, 2009)

Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и El2 автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
by: Верхолетов М. Г. Максим Георгиевич
Published: (Томск, 2023)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия
by: Сараева В. Е.
Published: (1989)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs монография
by: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Published: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide
by: Ayzenshtat G. I.
Published: (2017)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
by: Long Stephen I
Published: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия
by: Ардышев М. В.
Published: (2002)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Published: (Ташкент, Фан, 1986)

Электрофизические свойства арсенида галлия учебное пособие
by: Сытенко Т. Н.
Published: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2002)

Кристалло - структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов Межвузовская научно - техническая программа ПРИРОДОКОМПЛЕКС Промежуточный отчет о НИР Тема : г/б 01.02.03.2
Published: (Томск, 1988)

Современные приборы на основе арсенида галлия пер. с англ.
by: Шур М. С. Михаил Саулович
Published: (Москва, Мир, 1991)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
by: Костылев С. А. Сергей Александрович
Published: (Киев, Наукова думка, 1990)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.07
by: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Published: (Томск, 1985)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers
Published: (1998)

Исследования по разработке методик определения микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением отчет о НИР тема: х/д 29/66
Published: (Томск, 1967)

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления пер. с англ.
Published: (Москва, Радио и связь, 1988)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2010)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов
by: Нишизава Дж.-И.
Published: (2003)

Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия
by: Черняев А. В. Александр Владимирович
Published: (Москва, Радио и связь, 1990)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]
Published: (2003)

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1
by: Синягина М. А.
Published: (2013)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)

Исследование влияния состава среды на кинетику растворения арсенида галлия в неводных растворах брома и йода автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук спец. 02.00.04
by: Ступина Н. М. Нини Михайловна
Published: (Томск, [Б. и.], 1973)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP
by: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Published: (2016)

Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
by: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Published: (Новосибирск, 2025)

Решение некоторых физико-химических вопросов и разработка методик анализа арсенида галлия методом АПН автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук спец. 071
by: Килина З. Г.
Published: (Томск, 1969)

Исследование эффекта внутреннего усиления на планарных ([p+] -n-[n+]) структурах из высокоомного кремния
Published: (2004)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation
Published: (2009)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению
Published: (2004)

Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб
Published: (2003)

Химия и технология галлия
by: Иванова Р. В. Раиса Васильевна
Published: (Москва, Металлургия, 1973)

Галлий. Взаимодействие с металлами
by: Яценко С. П. Сергей Павлович
Published: (Москва, Наука, 1974)

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения
Published: (2010)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN)
Published: (2011)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
by: Толбанов О. П.
Published: (2003)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия
by: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Published: (2018)