Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Dades bibliogràfiques
Autor principal:	Спирина А. А. Анна Александровна
Autor corporatiu:	Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников
Altres autors:	Шварц Н. Л. Наталия Львовна (научный руководитель)
Sumari:	Защита сост. 20.06.2023 г.
Idioma:	rus
Publicat:	Новосибирск, 2023
Matèries:	Галлий, арсенид физика нанопроволоки проводники GaAs планарные структуры ленгмюровское испарение галлий пленки пар-жидкость модели Ли подложки отжиг кристаллы метод Монте-Карло арсенид галлия авторефераты диссертаций
Format:	Llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=378413

Ítems similars

Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
per: Прудаев И. А. Илья Анатольевич
Publicat: (Томск, 2009)

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
per: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Publicat: (Томск, 2023)

Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и El2: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
per: Верхолетов М. Г. Максим Георгиевич
Publicat: (Томск, 2023)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
per: Сараева В. Е.
Publicat: (1989)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
per: Long Stephen I
Publicat: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
per: Ардышев М. В.
Publicat: (2002)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
per: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Publicat: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Publicat: (Ташкент, Фан, 1986)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Publicat: (2007)

Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
Publicat: (Москва, Советское радио, 1972)

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение
Publicat: (Москва, Наука, 1973)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
per: Сытенко Т. Н.
Publicat: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2002)

Современные приборы на основе арсенида галлия: пер. с англ.
per: Шур М. С. Михаил Саулович
Publicat: (Москва, Мир, 1991)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
per: Костылев С. А. Сергей Александрович
Publicat: (Киев, Наукова думка, 1990)

Кристалло - структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия; Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов: Межвузовская научно - техническая программа ПРИРОДОКОМПЛЕКС; Промежуточный отчет о НИР; Тема : г/б 01.02.03.2
Publicat: (Томск, 1988)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07
per: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Publicat: (Томск, 1985)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide; Journal of X-Ray Science and Technology; Vol. 25, iss. 4
per: Ayzenshtat G. I.
Publicat: (2017)

Исследования по разработке методик определения микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением: отчет о НИР; тема: х/д 29/66
Publicat: (Томск, 1967)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.
Publicat: (Москва, Радио и связь, 1988)

Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия
per: Черняев А. В. Александр Владимирович
Publicat: (Москва, Радио и связь, 1990)

Исследование влияния состава среды на кинетику растворения арсенида галлия в неводных растворах брома и йода: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук; спец. 02.00.04
per: Ступина Н. М. Нини Михайловна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 1973)

Исследование эффекта внутреннего усиления на планарных ([p+] -n-[n+]) структурах из высокоомного кремния; Приборы и техника эксперимента; № 6
Publicat: (2004)

Химия и технология галлия
per: Иванова Р. В. Раиса Васильевна
Publicat: (Москва, Металлургия, 1973)

Решение некоторых физико-химических вопросов и разработка методик анализа арсенида галлия методом АПН: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук; спец. 071
per: Килина З. Г.
Publicat: (Томск, 1969)

Галлий. Взаимодействие с металлами
per: Яценко С. П. Сергей Павлович
Publicat: (Москва, Наука, 1974)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
per: Толбанов О. П.
Publicat: (2003)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publicat: (2009)

Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
per: Петрова Ю. С. Юлианна Сергеевна
Publicat: (Томск, 2024)

Феноменологическая модель метастабильности δ-фазы плутония с галлием и алюминием; Атомная энергия; Т. 96, вып. 1
per: Иноземцев В. В.
Publicat: (2004)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
per: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicat: (2018)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
Publicat: (2004)

Исследование каталитической активности Ga-содержащих цеолитов в процессе ароматизации низших алканов; Журнал прикладной химии; Т. 67, вып. 7
per: Восмериков А. В.
Publicat: (1994)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
per: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicat: (Томск, 1999)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Publicat: (2009)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Publicat: (2014)

Установка для непрерывного получения соединения галлия и лития заданной концентрации; Приборы и техника эксперимента; № 2
per: Тихомиров И. А. Иван Арсентьевич
Publicat: (2002)

Исследование свойств Ga-содержащих пентасилов в процессе ароматизации низших алканов после проведения циклов реакция-регенерация; Журнал прикладной химии; Т. 68, вып. 5
per: Восмериков А. В.
Publicat: (1995)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
per: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicat: (Томск, 1999)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
per: Потапов А. И. Александр Иванович
Publicat: (Томск, 1999)