Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Podrobná bibliografie
Hlavní autor:	Спирина А. А. Анна Александровна
Korporativní autor:	Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников
Další autoři:	Шварц Н. Л. Наталия Львовна (727)
Shrnutí:	Защита сост. 20.06.2023 г.
Vydáno:	Новосибирск, 2023
Témata:	физика нанопроволоки проводники GaAs планарные структуры ленгмюровское испарение галлий пленки пар-жидкость модели Ли подложки отжиг кристаллы метод Монте-Карло арсенид галлия авторефераты диссертаций
Médium:	Kniha
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=378413

Podobné jednotky

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
Autor: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Vydáno: (Томск, 2023)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка
Vydáno: (2007)

Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
Autor: Прудаев И. А. Илья Анатольевич
Vydáno: (Томск, 2009)

Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и El2 автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
Autor: Верхолетов М. Г. Максим Георгиевич
Vydáno: (Томск, 2023)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия
Autor: Сараева В. Е.
Vydáno: (1989)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs монография
Autor: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Vydáno: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
Autor: Long Stephen I
Vydáno: (New York, McGraw-Hill, 1990)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide
Autor: Ayzenshtat G. I.
Vydáno: (2017)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия
Autor: Ардышев М. В.
Vydáno: (2002)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Vydáno: (Ташкент, Фан, 1986)

Электрофизические свойства арсенида галлия учебное пособие
Autor: Сытенко Т. Н.
Vydáno: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2002)

Кристалло - структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов Межвузовская научно - техническая программа ПРИРОДОКОМПЛЕКС Промежуточный отчет о НИР Тема : г/б 01.02.03.2
Vydáno: (Томск, 1988)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
Autor: Костылев С. А. Сергей Александрович
Vydáno: (Киев, Наукова думка, 1990)

Современные приборы на основе арсенида галлия пер. с англ.
Autor: Шур М. С. Михаил Саулович
Vydáno: (Москва, Мир, 1991)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.07
Autor: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Vydáno: (Томск, 1985)

Исследования по разработке методик определения микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением отчет о НИР тема: х/д 29/66
Vydáno: (Томск, 1967)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления пер. с англ.
Vydáno: (Москва, Радио и связь, 1988)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers
Vydáno: (1998)

Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия
Autor: Черняев А. В. Александр Владимирович
Vydáno: (Москва, Радио и связь, 1990)

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией
Autor: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2011)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
Autor: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2010)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов
Autor: Нишизава Дж.-И.
Vydáno: (2003)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]
Vydáno: (2003)

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1
Autor: Синягина М. А.
Vydáno: (2013)

Исследование влияния состава среды на кинетику растворения арсенида галлия в неводных растворах брома и йода автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук спец. 02.00.04
Autor: Ступина Н. М. Нини Михайловна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 1973)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
Autor: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2012)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP
Autor: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Vydáno: (2016)

Решение некоторых физико-химических вопросов и разработка методик анализа арсенида галлия методом АПН автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук спец. 071
Autor: Килина З. Г.
Vydáno: (Томск, 1969)

Исследование эффекта внутреннего усиления на планарных ([p+] -n-[n+]) структурах из высокоомного кремния
Vydáno: (2004)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation
Vydáno: (2009)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению
Vydáno: (2004)

Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб
Vydáno: (2003)

Химия и технология галлия
Autor: Иванова Р. В. Раиса Васильевна
Vydáno: (Москва, Металлургия, 1973)

Галлий. Взаимодействие с металлами
Autor: Яценко С. П. Сергей Павлович
Vydáno: (Москва, Наука, 1974)

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения
Vydáno: (2010)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN)
Vydáno: (2011)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
Autor: Толбанов О. П.
Vydáno: (2003)

Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
Autor: Петрова Ю. С. Юлианна Сергеевна
Vydáno: (Томск, 2024)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия
Autor: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Vydáno: (2018)