Транспорт заряда в бесформовочных мемристорах на основе оксида и нитрида кремния, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11

Bibliografski detalji
Glavni autor: Гисматулин А. А. Андрей Андреевич
Autor kompanije: Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников
Daljnji autori: Гриценко В. А. Владимир Алексеевич (727)
Sažetak:Защита сост. 20.06.2023 г.
Izdano: Новосибирск, 2023
Teme:
Format: Knjiga
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=378403

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 378403
005 20231102013013.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\retro\35859 
090 |a 378403 
100 |a 20230530d2023 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a dm 001zy 
200 1 |a Транспорт заряда в бесформовочных мемристорах на основе оксида и нитрида кремния  |e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  |e спец. 1.3.11  |f А. А. Гисматулин  |g Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников ; науч. рук. В. А. Гриценко 
210 |a Новосибирск  |d 2023 
215 |a 21 с.  |c ил. 
300 |a Защита сост. 20.06.2023 г. 
320 |a Библиогр.: с. 20-21 (25 назв.) 
606 1 |a Мемристоры  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\80571  |9 88212 
610 1 |a физика 
610 1 |a полупроводники 
610 1 |a нитрид кремния 
610 1 |a оксид кремния 
610 1 |a диэлектрики 
610 1 |a электрические разряды 
610 1 |a мемристоры 
610 1 |a авторефераты диссертаций 
675 |a 621.382.049.77.002(04)  |v 4 
686 |a 01.04.10  |2 oksvnk 
700 1 |a Гисматулин  |b А. А.  |g Андрей Андреевич 
702 1 |a Гриценко  |b В. А.  |g Владимир Алексеевич  |4 727 
712 0 2 |a Российская академия наук  |b Сибирское отделение  |b Институт физики полупроводников  |c (Новосибирск)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\197  |9 23267 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20230530 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20230621  |g RCR 
942 |c BK