Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур: монография

Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур: монография

Bibliographic Details
Main Author: Бычков А. А. Андрей Александрович
Summary:В книге рассматриваются вопросы релаксации полупроводниковой пленки за счет энергии деформации. Учитывается одновременно изменение упругой энергии несоответствия, как за счет дислокационной перестройки, так и за счет механизма неоднородного распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков наномстровых размеров на смачивающем слое, учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций. Выполнены расчеты построенных моделей с использованием метода конечных элементов, аппроксимирующих формул и итерационного алгоритма. Особое внимание уделено подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы выращивания наноразмерных эпитаксиальных гетероструктур. онография подготовлена в Южном федеральном университете.
Language:Russian
Published: Москва, Русайнс, 2022
Subjects:
Полупроводниковые пленки > Физико-химические свойства
напряжения
релаксация
моделирование
равновесное состояние
дефекты
влияние
островки Странского-Крастанова
сплавы
компоненты
равновесное распределение
расчет
равновесные поверхности
монографии
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=375249

Similar Items

Similar Items