|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
375249 |
| 005 |
20231102012722.0 |
| 010 |
|
|
|a 9785436596303
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\retro\32688
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\book\380327
|
| 090 |
|
|
|a 375249
|
| 100 |
|
|
|a 20221220d2022 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур
|e монография
|f А. А. Бычков
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Русайнс
|d 2022
|
| 215 |
|
|
|a 98 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 92-98
|
| 330 |
|
|
|a В книге рассматриваются вопросы релаксации полупроводниковой пленки за счет энергии деформации. Учитывается одновременно изменение упругой энергии несоответствия, как за счет дислокационной перестройки, так и за счет механизма неоднородного распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков наномстровых размеров на смачивающем слое, учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций. Выполнены расчеты построенных моделей с использованием метода конечных элементов, аппроксимирующих формул и итерационного алгоритма. Особое внимание уделено подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы выращивания наноразмерных эпитаксиальных гетероструктур. онография подготовлена в Южном федеральном университете.
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводниковые пленки
|x Физико-химические свойства
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50667
|9 69318
|
| 610 |
1 |
|
|a напряжения
|
| 610 |
1 |
|
|a релаксация
|
| 610 |
1 |
|
|a моделирование
|
| 610 |
1 |
|
|a равновесное состояние
|
| 610 |
1 |
|
|a дефекты
|
| 610 |
1 |
|
|a влияние
|
| 610 |
1 |
|
|a островки Странского-Крастанова
|
| 610 |
1 |
|
|a сплавы
|
| 610 |
1 |
|
|a компоненты
|
| 610 |
1 |
|
|a равновесное распределение
|
| 610 |
1 |
|
|a расчет
|
| 610 |
1 |
|
|a равновесные поверхности
|
| 610 |
1 |
|
|a монографии
|
| 675 |
|
|
|a 539.216.2
|v 4
|
| 700 |
|
1 |
|a Бычков
|b А. А.
|g Андрей Александрович
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20221220
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20230307
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
| 959 |
|
|
|a 26/20221220
|d 1
|e 746,00
|f ЧЗТЛ:1
|
