|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
3747 |
| 005 |
20250225063223.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\3769
|
| 035 |
|
|
|a BOOK00003779
|
| 090 |
|
|
|a 3747
|
| 100 |
|
|
|a 20011209d1997 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a y dm 000zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Эпитаксильные структуры на основе твердого раствора Al Ga Sb (физические основы технологии,свойства и применение
|e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
|f В. П. Гермогенов
|g Томский государственный университет
|
| 210 |
|
|
|a Томск
|c Изд-во ТГУ
|d 1997
|
| 215 |
|
|
|a 39 с.
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковая электроника
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые материалы
|
| 610 |
1 |
|
|a авторефераты диссертаций
|
| 675 |
|
|
|a 539.2:537(04)
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Гермогенов
|b В. П.
|g Валерий Петрович
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Томский государственный университет
|c 1917-2009
|7 ca
|8 rus
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\397
|9 23396
|
| 801 |
|
0 |
|a RU
|b 63413507
|c 20011209
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20040427
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
