MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 374635
005 20231101051240.0
010 |a 5836600953 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\retro\32069 
035 |a RU\TPU\book\226137 
090 |a 374635 
100 |a 20221219d1990 km y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a TJ 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Физикохимия сегрегационных явлений при кристаллизации полупроводников  |f Ш. Мавлонов  |g Академия наук Таджикской ССР , Физико-технический институт ; под ред. Р. А. Кариевой 
210 |a Душанбе  |c Дониш  |d 1990 
215 |a 160 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 138-154. 
610 1 |a полупроводниковая техника 
610 1 |a полупроводники 
610 1 |a седиментация 
610 1 |a примеси 
610 1 |a анизотропные полупроводники 
610 1 |a радиоактивные изотопы 
610 1 |a кристаллизация 
610 1 |a микродиаграммы состояния 
675 |a 621.315.592:54  |v 3 
700 1 |a Мавлонов  |b Ш.  |g Шараф 
702 1 |a Кариева  |b Р. А.  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук Таджикской ССР  |b Физико-технический институт  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\17799 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20120123 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20221219  |g RCR 
942 |c BK