Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления, пер. с англ.

Detaylı Bibliyografya
Diğer Yazarlar:	Ди Лоренцо Д. В. (редактор), Канделуола Д. Д.
Dil:	Rusça
Baskı/Yayın Bilgisi:	Москва, Радио и связь, 1988
Konular:	Транзисторы полевые триоды галлий арсенид галлия полупроводниковые свойства принципы работы технология изготовление эпитаксия конструирование свойства логические элементы
Materyal Türü:	Kitap
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=372209

Benzer Materyaller

Полевые транзисторы и их применение в радиоэлектронике: учебное пособие
Yazar:: Фомичев Ю. М. Юрий Михайлович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, Изд-во ТПИ, 1978)

Power FETs and their applications
Yazar:: Oxner E. S. Edwin S.
Baskı/Yayın Bilgisi: (London, Prentice Hall, 1982)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Baskı/Yayın Bilgisi: (Ташкент, Фан, 1986)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
Yazar:: Сараева В. Е.
Baskı/Yayın Bilgisi: (1989)

Полевые транзисторы
Yazar:: Бочаров Л. Н. Лев Николаевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Радио и связь, 1984)

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Наука, 1973)

Современные приборы на основе арсенида галлия: пер. с англ.
Yazar:: Шур М. С. Михаил Саулович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Мир, 1991)

Полевые транзисторы: пер. с англ.
Yazar:: Севин Л. Дж. Леонс Дж.
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Советское радио, 1968)

Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Советское радио, 1972)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Yazar:: Ардышев М. В.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2002)

Полевые транзисторы и их применение
Yazar:: Игнатов А. Н. Александр Николаевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Связь, 1979)

Полевые транзисторы и их применение
Yazar:: Игнатов А. Н. Александр Николаевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Радио и связь, 1984)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
Yazar:: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Энергия, 1974)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
Yazar:: Сытенко Т. Н.
Baskı/Yayın Bilgisi: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия; Вестник науки Сибири; № 3 (4)
Yazar:: Клименов В. А. Василий Александрович
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Арсенид галлия в микроэлектронике: пер. с англ.
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Мир, 1988)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Yazar:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (2002)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
Yazar:: Костылев С. А. Сергей Александрович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Киев, Наукова думка, 1990)

Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов: учебное пособие
Yazar:: Данилов В. С. Вячеслав Семенович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Новосибирск, Изд-во НГТУ, 2014)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
Yazar:: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Baskı/Yayın Bilgisi: (2018)

Полевые транзисторы; Физика, технология и применения: пер. с англ.
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Советское радио, 1971)

Кристалло - структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия; Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов: Межвузовская научно - техническая программа ПРИРОДОКОМПЛЕКС; Промежуточный отчет о НИР; Тема : г/б 01.02.03.2
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 1988)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
Yazar:: Long Stephen I
Baskı/Yayın Bilgisi: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Исследования по разработке методик определения микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением: отчет о НИР; тема: х/д 29/66
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 1967)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07
Yazar:: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 1985)

Взаимозаменяемые транзисторы
Yazar:: Петухов В. М. Владимир Матвеевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, РадиоСофт, 2010)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Yazar:: Пешев В. В. Владимир Викторович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 1999)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Yazar:: Максимова Н. К.
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 1972)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Yazar:: Карлова Г. Ф.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Yazar:: Пешев В. В. Владимир Викторович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, [Б. и.], 1999)

Арсенид галлия: сборник статей
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
Yazar:: Пешев В. В. Владимир Викторович
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
Yazar:: Потапов А. И. Александр Иванович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 1999)

Теория и применение полевых транзисторов: пер. с англ.
Yazar:: Кобболд Р.
Baskı/Yayın Bilgisi: (Ленинград, Энергия, 1975)

Полупроводниковые приборы: транзисторы: справочник
Baskı/Yayın Bilgisi: (Екатеринбург, АТП, 2015)

Т. 3: Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и большой мощности; Транзисторы и их зарубежные аналоги
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Yazar:: Толбанов О. П. Олег Петрович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 1999)

Параметры и свойства полевых транзисторов
Yazar:: Малин Б. В. Борис Владимирович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Энергия, 1967)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
Yazar:: Спирина А. А. Анна Александровна
Baskı/Yayın Bilgisi: (Новосибирск, 2023)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
Yazar:: Потапов А. И. Александр Иванович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, [Б. и.], 1999)