|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
372209 |
| 005 |
20231102012444.0 |
| 010 |
|
|
|a 5256001361
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\retro\29630
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\book\94429
|
| 090 |
|
|
|a 372209
|
| 100 |
|
|
|a 20221214d1988 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
1 |
|
|a rus
|c eng
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления
|e пер. с англ.
|f под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Радио и связь
|d 1988
|
| 215 |
|
|
|a 495 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 439-490.
|
| 606 |
1 |
|
|a Транзисторы полевые
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\61284
|9 78486
|
| 610 |
1 |
|
|a триоды
|
| 610 |
1 |
|
|a галлий
|
| 610 |
1 |
|
|a арсенид галлия
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые свойства
|
| 610 |
1 |
|
|a принципы работы
|
| 610 |
1 |
|
|a технология
|
| 610 |
1 |
|
|a изготовление
|
| 610 |
1 |
|
|a эпитаксия
|
| 610 |
1 |
|
|a конструирование
|
| 610 |
1 |
|
|a свойства
|
| 610 |
1 |
|
|a логические элементы
|
| 675 |
|
|
|a 621.382.323
|v 3
|
| 702 |
|
1 |
|a Ди Лоренцо
|b Д. В.
|4 340
|
| 702 |
|
1 |
|a Канделуола
|b Д. Д.
|4 340
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20051219
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20221214
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
