MARC
LEADER
00000nam0a2200000 4500
001
371522
005
20231102012404.0
035
|a (RuTPU)RU\TPU\retro\28932
090
|a 371522
100
|a 20221025d1978 k y0rusy50 ca
101
0
|a rus
102
|a LV
105
|a a z 001zy
200
1
|a Определение параметров локального уровня в полупроводниках
|e монография
|f В. О. Барисс, Э. Э. Клотыньш
|g Академия наук Латвийской ССР, Физико-энергетический институт
210
|a Рига
|c Зинатне
|d 1978
215
|a 192 с.
|c ил.
320
|a Библиогр.: с. 186-190
320
|a Принятые обозначения: с. 5-7
606
1
|a Полупроводники
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50553
|9 69206
610
1
|a носители заряда
610
1
|a концентрация
610
1
|a температурные зависимости
610
1
|a локальный уровень
610
1
|a параметры
610
1
|a определение
610
1
|a дисперсия
610
1
|a произвольный закон
610
1
|a расчет на ЭВМ
610
1
|a монографии
675
|a 537.311.322
|v 4
700
1
|a Барисс
|b В. О.
|g Валдис Освалдович
701
1
|a Клотыньш
|b Э. Э.
|g Эмилс Элмарович
712
0
2
|a Академия наук Латвийской ССР
|b Физико-энергетический институт
|c (Рига)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\6763
|9 24267
801
1
|a RU
|b 63413507
|c 20221025
942
|c BK