|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
371522 |
| 005 |
20231102012404.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\retro\28932
|
| 090 |
|
|
|a 371522
|
| 100 |
|
|
|a 20221025d1978 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a LV
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Определение параметров локального уровня в полупроводниках
|e монография
|f В. О. Барисс, Э. Э. Клотыньш
|g Академия наук Латвийской ССР, Физико-энергетический институт
|
| 210 |
|
|
|a Рига
|c Зинатне
|d 1978
|
| 215 |
|
|
|a 192 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 186-190
|
| 320 |
|
|
|a Принятые обозначения: с. 5-7
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводники
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50553
|9 69206
|
| 610 |
1 |
|
|a носители заряда
|
| 610 |
1 |
|
|a концентрация
|
| 610 |
1 |
|
|a температурные зависимости
|
| 610 |
1 |
|
|a локальный уровень
|
| 610 |
1 |
|
|a параметры
|
| 610 |
1 |
|
|a определение
|
| 610 |
1 |
|
|a дисперсия
|
| 610 |
1 |
|
|a произвольный закон
|
| 610 |
1 |
|
|a расчет на ЭВМ
|
| 610 |
1 |
|
|a монографии
|
| 675 |
|
|
|a 537.311.322
|v 4
|
| 700 |
|
1 |
|a Барисс
|b В. О.
|g Валдис Освалдович
|
| 701 |
|
1 |
|a Клотыньш
|b Э. Э.
|g Эмилс Элмарович
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Академия наук Латвийской ССР
|b Физико-энергетический институт
|c (Рига)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\6763
|9 24267
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20221025
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
