• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Розширений
  • Легирование эпитаксиальных сло...
  • Цитувати
  • Відправити по sms
  • Відправити е-поштою
  • Друк
  • Експортувати запис
    • Екпортувати в RefWorks
    • Екпортувати в EndNoteWeb
    • Екпортувати в EndNote
  • Постійне посилання
Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников

Бібліографічні деталі
Автор: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Співавтор: Академия наук Узбекской ССР
Інші автори: Грейсух М. Р. Моисей Рувимович
Мова:Російська
Опубліковано: Ташкент, Фан, 1979
Предмети:
Полупроводниковые материалы > Параметры > Измерение
эпитаксиальные слои
легирование
примеси
диффузии
расчеты
Формат: Книга
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=368300
  • Примірники
  • Опис
  • Схожі ресурси
  • Службовий вигляд

Схожі ресурси

  • Полупроводниковые соединения: сборник научных трудов
    Опубліковано: (Москва, Изд-во МИЭТ, 1981)
  • Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
    за авторством: Батавин В. В. Виталий Васильевич
    Опубліковано: (Москва, Советское радио, 1976)
  • Полупроводниковые материалы: учебное пособие для вузов
    за авторством: Коновалов О. М. Олег Михайлович
    Опубліковано: (Харьков, Изд-во Харьковского ун-та, 1963)
  • Физика полупроводниковых материалов: межвузовский тематический сборник
    Опубліковано: (Москва, Изд-во МЭИ, 1985)
  • Semiconductor Nanocrystals. From Basic Principles to Applications
    Опубліковано: (New York, Kluwer Academic Publishers, 2003)