|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
368300 |
| 005 |
20231102012053.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\retro\25663
|
| 090 |
|
|
|a 368300
|
| 100 |
|
|
|a 20220406d1979 km y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a UZ
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
|f В. В. Харченко, М. Р. Грейсух
|g Академия наук Узбекской ССР
|
| 210 |
|
|
|a Ташкент
|c Фан
|d 1979
|
| 215 |
|
|
|a 124 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 115-121
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводниковые материалы
|x Параметры
|x Измерение
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50665
|9 69316
|
| 610 |
1 |
|
|a эпитаксиальные слои
|
| 610 |
1 |
|
|a легирование
|
| 610 |
1 |
|
|a примеси
|
| 610 |
1 |
|
|a диффузии
|
| 610 |
1 |
|
|a расчеты
|
| 675 |
|
|
|a 621.315.592
|v 4
|
| 700 |
|
1 |
|a Харченко
|b В. В.
|g Валерий Владимирович
|
| 701 |
|
1 |
|a Грейсух
|b М. Р.
|g Моисей Рувимович
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Академия наук Узбекской ССР
|c (Ташкент)
|c (1943-1991)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\1343
|9 23551
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20220406
|
| 942 |
|
|
|c BK
|