MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 365729
005 20231102011819.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\retro\23092 
090 |a 365729 
100 |a 20220119d1981 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a UZ 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями  |e монография  |f П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман  |g Академия наук Узбекской ССР, Физико-технический институт ; под ред. М. С. Саидова 
210 |a Ташкент  |c Фан  |d 1981 
215 |a 200 с.  |c ил. 
320 |a Библиография в конце глав 
606 1 |a Полупроводники  |x Фотоэлектрические свойства  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50625  |9 69277 
610 1 |a чувствительность 
610 1 |a фотовольтаические структуры 
610 1 |a фотовозбуждение 
610 1 |a глубокие примеси 
610 1 |a примесные спектры 
610 1 |a диффузное размытие 
610 1 |a инжекционная модуляция 
610 1 |a фотомодуляция 
610 1 |a монографии 
675 |a 537.311.322:535  |v 4 
700 1 |a Карагеоргий-Алкалаев  |b П. М.  |g Павел Михайлович 
701 1 |a Лейдерман  |b А. Ю.  |g Ада Юрьевна 
702 1 |a Саидов  |b М. С.  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук Узбекской ССР  |b Физико-технический институт  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\13582  |9 25713 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20220119 
942 |c BK