• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Uwch
  • Фоточувствительность полупрово...
  • Dyfynnu hwn
  • Anfonwch hwn fel neges destun
  • E-bostio hwn
  • Argraffu
  • Allforio Cofnod
    • Allforio i RefWorks
    • Allforio i EndNoteWeb
    • Allforio i EndNote
  • Permanent link
Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями: монография

Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями: монография

Manylion Llyfryddiaeth
Prif Awdur: Карагеоргий-Алкалаев П. М. Павел Михайлович
Awdur Corfforaethol: Академия наук Узбекской ССР Физико-технический институт
Awduron Eraill: Лейдерман А. Ю. Ада Юрьевна (редактор), Саидов М. С.
Iaith:Rwseg
Cyhoeddwyd: Ташкент, Фан, 1981
Pynciau:
Полупроводники > Фотоэлектрические свойства
чувствительность
фотовольтаические структуры
фотовозбуждение
глубокие примеси
примесные спектры
диффузное размытие
инжекционная модуляция
фотомодуляция
монографии
Fformat: Llyfr
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=365729
  • Daliadau
  • Disgrifiad
  • Eitemau Tebyg
  • Dangos Staff
Disgrifiad
Disgrifiad Corfforoll:200 с. ил.

Eitemau Tebyg

  • Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках: учебное пособие
    gan: Роках А. Г. Александр Григорьевич
    Cyhoeddwyd: (Саратов, Изд-во Саратовского ун-та, 1984)
  • Фотостимулированные процессы в полупроводниках: [монография]
    gan: Эпштейн Э. М. Эрнест Майорович
    Cyhoeddwyd: (Кишинев, Штиинца, 1987)
  • Фотоэлектретный эффект в полупроводниках
    gan: Ковальский П. Н. Павел Николаевич
    Cyhoeddwyd: (Львов, Вища школа, 1977)
  • Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
    gan: Яскевич Т. М. Тамара Михайловна
    Cyhoeddwyd: (Томск, 2013)
  • Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями.
    Cyhoeddwyd: (Москва, Металлургия, 1987)