MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 362674
005 20231102011519.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\retro\20020 
035 |a RU\TPU\retro\20019 
090 |a 362674 
100 |a 20210817d1976 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Электрические и оптические свойства полупроводников AIII и BV   |e [сборник научных трудов]  |f Академия наук СССР (АН СССР), Физический институт им. П. Н. Лебедева (ФИАН) ; отв. ред. Н. Г. Басов 
210 |a Москва  |c Наука  |d 1976 
215 |a 111 с.  |c ил. 
225 1 |a Труды физического института им. П. Н. Лебедева (ФИАН)  |v Т. 89 
320 |a Библиогр. в конце статей 
606 1 |a Полупроводники  |x Оптические свойства  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50577  |9 69230 
606 1 |a Полупроводники  |x Электрические свойства  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50636  |9 69288 
610 1 |a электроны 
610 1 |a электропроводность 
610 1 |a арсенид галлия 
610 1 |a легирование 
610 1 |a спонтанное излучение 
610 1 |a когерентное излучение 
610 1 |a оптоэлектроника 
675 |a 537.311.322:535  |v 4 
675 |a 537.311.322  |v 4 
702 1 |a Басов  |b Н. Г.  |c российский физик  |f 1922-2001  |g Николай Геннадьевич  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\17096  |4 340  |9 6236 
712 0 2 |a Академия наук СССР (АН СССР)  |b Физический институт им. П. Н. Лебедева (ФИАН)  |c (Москва)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\13766  |4 570 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20090330  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20210817  |g PSBO 
942 |c BK