MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 362332
005 20231102011459.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\retro\19678 
035 |a RU\TPU\retro\19651 
090 |a 362332 
100 |a 20210723d1963 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Исследования полупроводников и диэлектриков  |e [сборник статей]  |f Академия наук СССР, Физический институт им. П. Н. Лебедева ; отв. ред. Д. В. Скобельцын 
210 |a Москва  |c Изд-во АН СССР  |d 1963 
215 |a 195 с.  |c ил. 
225 1 |a Труды физического института им. П. Н. Лебедева (ФИАН)  |v Т. 20 
320 |a Библиогр. в конце работ 
320 |9 572  |a Библиографический указатель работ сотрудников Лаборатории физики полупроводников, 1932-1961 гг.: с. 172-190 
320 |9 572  |a Алфавитный указатель авторов: с. 192-193 
606 1 |a Полупроводники  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50553  |9 69206 
606 1 |a Диэлектрики  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\9759  |9 36934 
610 1 |a германий 
610 1 |a исследования 
610 1 |a электронные процессы 
610 1 |a поверхностная рекомбинация 
610 1 |a равновесие 
610 1 |a дефекты 
675 |a 539.311.322  |v 4 
675 |a 621.315.61  |v 4 
702 1 |a Скобельцын  |b Д. В.  |c российский физик  |f 1892-1990  |g Дмитрий Владимирович  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\15052  |4 340  |9 5154 
712 0 2 |a Академия наук СССР  |b Физический институт им. П. Н. Лебедева  |c (Москва)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\13766  |9 25779 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20200914 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20210723  |g RCR 
942 |c BK