|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
362120 |
| 005 |
20231102011446.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\retro\19466
|
| 090 |
|
|
|a 362120
|
| 100 |
|
|
|a 20210716d1980 m y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a j 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Основы полупроводниковой микроэлектроники
|e учебное пособие для среднего профессионально-технического образования
|f А. И. Курносов, В. А. Брук
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Высшая школа
|d 1980
|
| 215 |
|
|
|a 296 с.
|c ил.
|
| 225 |
1 |
|
|a Профтехобразование. Полупроводниковая техника
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 293
|
| 606 |
1 |
|
|a Микроэлектроника полупроводниковая
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\43820
|9 63262
|
| 610 |
1 |
|
|a интегральные схемы
|
| 610 |
1 |
|
|a подложки
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые материалы
|
| 610 |
1 |
|
|a изоляционные материалы
|
| 610 |
1 |
|
|a механическая обработка
|
| 610 |
1 |
|
|a химическая обработка
|
| 610 |
1 |
|
|a двуокись кремния
|
| 610 |
1 |
|
|a защитные маскирующие пленки
|
| 610 |
1 |
|
|a получение
|
| 610 |
1 |
|
|a фотошаблоны
|
| 610 |
1 |
|
|a фотолитография
|
| 610 |
1 |
|
|a диффузионное легирование
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые слои
|
| 610 |
1 |
|
|a эпитаксиальное осаждение
|
| 610 |
1 |
|
|a ионное легирование
|
| 610 |
1 |
|
|a осаждение в вакууме
|
| 610 |
1 |
|
|a лазерная техника
|
| 610 |
1 |
|
|a активные элементы
|
| 610 |
1 |
|
|a пассивные элементы
|
| 610 |
1 |
|
|a сборка
|
| 610 |
1 |
|
|a кристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a герметизация
|
| 610 |
1 |
|
|a учебные пособия
|
| 675 |
|
|
|a 621.382.049.77(075.3)
|v 4
|
| 700 |
|
1 |
|a Курносов
|b А. И.
|g Анатолий Иванович
|
| 701 |
|
1 |
|a Брук
|b В. А.
|g Вадим Аркадьевич
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20210716
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
