|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
361300 |
| 005 |
20231102011357.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\retro\18626
|
| 090 |
|
|
|a 361300
|
| 100 |
|
|
|a 20210603d1980 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Физика полупроводников и микроэлектроника
|e междуведомственный сборник научных трудов
|f Рязанский радиотехнический институт ; отв. ред. П. Т. Орешкин
|
| 210 |
|
|
|a Рязань
|c Изд-во РРИ
|d 1980
|
| 215 |
|
|
|a 132 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр. в конце ст.
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводники
|x Физика
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50607
|
| 606 |
1 |
|
|a Микроэлектроника
|x Физические основы
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\43816
|9 63258
|
| 610 |
1 |
|
|a диэлектрики
|
| 610 |
1 |
|
|a микросхемы
|
| 610 |
1 |
|
|a барьерные слои
|
| 610 |
1 |
|
|a МДП-структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a аморфные полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a гетеропереходные системы
|
| 610 |
1 |
|
|a монокристаллические полупроводники
|
| 675 |
|
|
|a 537.311.322
|v 4
|
| 675 |
|
|
|a 621.382.049.77:53
|v 4
|
| 702 |
|
1 |
|a Орешкин
|b П. Т.
|4 340
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Рязанский радиотехнический институт
|c (1951-1993)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\109
|9 23200
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20210603
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
